[发明专利]辐射发射器及其制备方法

权利要求书

1.一种制造辐射发射器(100)的方法，所述方法包括以下步骤：

制造堆叠层(10)，其包括第一反射器(12)、至少一个中间层(21-24)、有源区(13)和第二反射器(14)；

局部氧化所述至少一个中间层(21-24)，从而在所述至少一个中间层(21-24)中形成至少一个未氧化的孔径(40)；以及

局部去除所述堆叠层(10)，从而形成台面(M)，其中所述台面(M)包括所述第一反射器(12)、所述至少一个未氧化的孔径(40)、所述有源区(13)和所述第二反射器(14)；

其特征在于，

在局部去除所述堆叠层(10)并形成所述台面(M)之前或之后，执行以下步骤：

在所述中间层(21-24)内部形成至少未氧化的第一孔径(40)和至少未氧化的第二孔径(40)；

在所述堆叠层(10)内部蚀刻沟槽(TR)，所述沟槽(TR)限定所述台面(M)的至少第一部分(M1)和所述台面(M)的至少第二部分(M2)，其中所述沟槽(TR)切断所述中间层(21-24)并将所述孔径(40)分开，使得所述第一孔径(40)位于所述台面(M)的第一部分(M1)中，所述第二孔径(40)位于所述台面(M)的第二部分(M2)中；以及

为每个部分(M1，M2)制造单独的电接触(61A，61B)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述中间层(21-24)内部形成至少两个孔径(40)的步骤包括：

垂直蚀刻所述堆叠层(10)内部的盲孔(30)，其中所述盲孔(30)至少垂直延伸至所述中间层(21-24)并暴露出所述中间层(21-24)；以及

经由所述盲孔(30)氧化部分所述中间层(21-24)，从而在所述中间层(21-24)内部形成所述孔径(40)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述中间层(21-24)的氧化经由所述盲孔(30)的侧壁(31)在横向方向上进行，其中从每个盲孔(30)开始，氧化前沿(32)沿径向向外移动，并且在整个中间层(21-24)被氧化之前终止蚀刻，从而形成所述孔径(40)，每个孔径(40)受至少三个氧化前沿(32)的限制。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述孔径(40)中的至少一个具有菱形形状，其中每条边由圆弧或椭圆弧形成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述孔径(40)中的至少一个具有三角形形状，其中每条边由圆弧或椭圆弧形成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

所述第一孔径(40)沿着第一方向(A1)伸长；

所述第二孔径(40)沿第二方向(A2)伸长；和

所述第一方向(A1)和所述第二方向(A2)形成有夹角。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一孔径(40)的纵轴垂直于所述第二孔径(40)的纵轴。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一孔径(40)的纵轴相对于所述第二孔径(40)的纵轴成60°夹角。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述台面(M)的第一部分(M1)中制造具有相同取向的至少两个孔径(40)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

所述台面(M)的第一部分(M1)中的孔径(40)沿相同的第一方向(A1)定向；和

所述台面(M)的第二部分(M2)中的孔径(40)沿着相同的第二方向(A2)定向，所述第二方向(A2)与所述第一方向(A1)不同。