[发明专利]Micro LED显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202110494925.6 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113161382A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 邹英华;戴兆宇;段秋艳;罗展佑 | 申请(专利权)人: | TCL华瑞照明科技(惠州)有限公司;华瑞光电(惠州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人: | 郭大为 |
地址: | 516000 广东省惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底,对所述衬底进行外延生长处理操作,形成外延层,所述外延层包括N型GaN层、发光层及P型GaN层;
对所述发光层及所述P型GaN层进行蚀刻操作,以对所述发光层及所述P型GaN层进行分割,形成多个发光单元;
向多个所述发光单元的表面涂覆绝缘胶,形成绝缘层;
对所述绝缘层进行开口操作,以使所述P型GaN层及所述N型GaN层部分露出,所述P型GaN层露出部分为P极焊盘,所述N型GaN层露出部分为N极焊盘;
通过蒸镀在所述绝缘层上形成电路层,所述电路层分别与所述P极焊盘及所述N极焊盘连接,得到发光模组;
提供玻璃基板,在所述玻璃基板上涂覆光阻层;再对所述光阻层进行开槽操作,形成多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽,多个所述第一发光槽、多个所述第二发光槽及多个所述第三发光槽呈矩阵分布,一所述第一发光槽、一所述第二发光槽及一所述第三发光槽在横向方向上依次顺序排布;
在每一所述第一发光槽中涂覆红色荧光粉,形成红色荧光粉层,在每一所述第二发光槽中涂覆绿色荧光粉,形成绿色荧光粉层,在每一所述第三发光槽中涂覆透明胶,形成透明胶层,再在所述红色荧光粉层、绿色荧光粉层及透明胶层上分别覆盖红色滤光片、绿色滤光片及蓝色滤光片,得到滤光板;
将滤光板扣合于发光模组上,得到Micro LED显示装置。
2.根据权利要求1所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,在所述向多个所述发光单元的表面涂覆绝缘胶的操作之前,还对每一所述发光单元进行开孔操作,以使所述N型GaN层部分露出。
3.根据权利要求2所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,在所述对每一所述发光单元进行开孔操作,以使所述N型GaN层部分露出的操作之后,还在所述P型GaN层上设置反光层。
4.根据权利要求1所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。
5.根据权利要求1所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,在所述向多个所述发光单元的表面涂覆绝缘胶,形成绝缘层的操作中,还在所述绝缘层的表面喷涂纳米碳颗粒,以使所述纳米碳颗粒粘附于所述绝缘层上。
6.根据权利要求1所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,在得到滤光板之前,还在所述光阻层上涂覆透明胶,形成保护膜。
7.根据权利要求1-6任一项中所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,所述的透明胶为环氧树脂透明胶。
8.根据权利要求3任一项中所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,所述反光层为银反光层。
9.根据权利要求1-6任一项中所述的Micro LED显示装置的制备方法,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底。
10.一种Micro LED显示装置,其特征在于,包括:
发光模组,所述发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层,所述衬底、所述N型GaN层、所述发光层、所述P型GaN层及所述绝缘层依次叠设,所述绝缘层远离所述P型GaN层的一面设置有电路层,所述电路层分别与所述N型GaN层及所述P型GaN层连接;及
滤光板,所述滤光板包括玻璃基板及光阻层,所述玻璃基板设置于所述衬底远离所述N型GaN层的一面上,所述光阻层设置于所述玻璃基板远离所述衬底的一面上,所述光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽,各所述第一发光槽、各所述第二发光槽及各所述第三发光槽呈矩阵分布,每一所述第一发光槽中设置有红光像素单元,每一所述第二发光槽中设置有绿光像素单元,每一所述第三发光槽中设置有蓝光像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的