[发明专利]在读取硬位后通过升压调制读取软位

权利要求书

1.一种存储器子系统，其包括：

处理装置；以及

至少一个存储器装置，所述存储器装置具有在集成电路裸片上形成的存储器单元群组；

其中所述处理装置配置成向所述存储器装置传输具有标识所述存储器单元群组的地址的读取命令；

其中响应于所述读取命令，所述存储器装置配置成：

使用第一电压读取所述存储器单元群组；

根据使用第一电压读取所述存储器单元群组的结果来产生硬位数据；

将在读取所述存储器单元群组以获得所述硬位数据时施加到所述存储器单元群组的所述第一电压改变为第二电压和第三电压；

在所述第二电压下并在所述第三电压下读取所述存储器单元群组；以及

根据在所述第二电压下和在所述第三电压下读取所述存储器单元群组的结果来产生软位数据。

2.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述第一电压经由从所述第一电压开始的升压调制而变成所述第二电压；且所述第二电压经由从所述第二电压开始的升压调制而变成所述第三电压。

3.根据权利要求2所述的存储器子系统，其中所述第二电压低于所述第一电压；且所述第三电压高于所述第一电压。

4.根据权利要求2所述的存储器子系统，其中所述第二电压高于所述第一电压；且所述第三电压低于所述第一电压。

5.根据权利要求2所述的存储器子系统，其中所述软位数据是在所述第二电压下读取所述存储器单元群组的结果和在所述第三电压下读取所述存储器单元群组的结果的异或XOR运算的结果。

6.根据权利要求5所述的存储器子系统，其中所述第一电压相对于所述第二电压的偏移等于所述第三电压相对于所述第一电压的偏移。

7.根据权利要求6所述的存储器子系统，其中所述存储器装置进一步包括配置成测量所述存储器装置中的所述存储器单元群组的信号和噪声特性的校准电路。

8.根据权利要求7所述的存储器子系统，其中所述存储器装置进一步配置成基于所述存储器单元群组的所述信号和噪声特性而确定所述第一电压。

9.根据权利要求8所述的存储器子系统，其中所述校准电路配置成响应于所述读取命令而测量所述存储器单元群组的所述信号和噪声特性。

10.根据权利要求9所述的存储器子系统，其中所述存储器装置配置成：

基于所述信号和噪声特性，确定指示所述硬位数据中的错误率的分类；以及

基于所述分类，决定通过施加所述第二电压和所述第三电压来读取所述软位数据。

11.根据权利要求9所述的存储器子系统，其中所述存储器装置围封在集成电路装置内，且进一步配置成：

将在读取所述存储器单元群组以获得所述软位数据时施加到所述存储器单元群组的所述第三电压改变为第四电压和第五电压，其中所述第四电压和所述第五电压相对于所述第一电压具有相同量的偏移；

在所述第四电压下并在所述第五电压下读取所述存储器单元群组；以及

根据在所述第四电压下和在所述第五电压下读取所述存储器单元群组的结果来产生软位数据。

12.一种方法，其包括：

在存储器装置中从存储器子系统的处理装置接收具有标识所述存储器装置中的存储器单元群组的地址的读取命令；以及

响应于所述读取命令，

通过所述存储器装置使用第一电压读取所述存储器单元群组；

在所述存储器装置中根据使用所述第一电压读取所述存储器单元群组的结果来产生硬位数据；

将在读取所述存储器单元群组时施加到所述存储器单元群组的所述第一电压改变为第二电压和第三电压；

在所述第二电压下并在所述第三电压下读取所述存储器单元群组；以及

根据在所述第二电压下和在所述第三电压下读取所述存储器单元群组的结果来产生软位数据。