[发明专利]金属-氧化物-金属电容器的制作方法

权利要求书

1.一种金属-氧化物-金属电容器(Metal-oxide-Metalcapacitor，MOMCAP)的制作方法，包括:

根据第N层预期电容值，在基材上方形成第N层金属层；

计算该第N层金属层的第N层实际电容值与该第N层预期电容值之间的第N层电容误差值；

根据该第N层电容误差值调整第N+1层金属层的第N+1层预期电容值；以及

根据调整后的该第N+1层预期电容值，在该第N层金属层的上方形成具有第N+1层实际电容值的第N+1层金属层，且使该第N层实际电容值和该第N+1层实际电容值的加总等于该第N层预期电容值和该第N+1层预期电容值的加总；其中，N为大于1的整数。

2.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，包括:

根据该第N层预期电容值，计算该第N层金属层和该第N+1层金属层的第N层预期厚度和第N+1层预期厚度；

根据该第N层预期厚度，在该基材上方形成该第N层金属层；

计算该第N层金属层的第N层实际厚度与该第N层预期厚度的第N层厚度误差值；

根据该第N层厚度误差值调整该第N+1层预期厚度；以及

根据调整后的该第N+1层预期厚度，在该第N层金属层的上方形成具有第N+1层实际厚度的该第N+1层金属层，且使该第N层实际厚度和该第N+1层实际厚度的加总等于该第N层预期厚度和该第N+1层预期厚度的加总。

3.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中该第N+1层金属层具有第N+1层厚度误差容忍值，当该第N层厚度误差值大于该第N+1层厚度误差容忍值时，该第N层预期厚度仅根据该第N+1层厚度误差容忍值进行调整。

4.如权利要求3所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，还包括:

根据该第N层厚度误差值与该第N+1层厚度误差容忍值的差额，调整第N+2层金属层的第N+2层预期厚度；以及

根据调整后的该第N+2层预期厚度，在该第N+1层金属层的上方形成第N+2层金属层。

5.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中该金属-氧化物-金属电容具有多个金属层，且具有预设总体厚度，为该多个金属层的多个预期厚度的总和；该预设总体厚度与该金属-氧化物-金属电容器的整体电容值具有比值。

6.如权利要求5所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中该基材与该第N层金属层之间的第N层累积金属厚度与第N层累积电容值构成线性关系函数；且该线性关系的斜率与该比值实质相同。

7.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中形成具有该第N+1层实际厚度的该第N+1层金属层的步骤包括:

在该第N层金属层的上方形成介电层；

在该介电层中形成凹室；

在该介电层上形成金属材料层，并填充该凹室；

进行平坦化制作工艺；以及

将该平坦化制作工艺的目标移除厚度减去该第N层厚度误差值。

8.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中形成具有该第N+1层实际厚度的该第N+1层金属层的步骤包括:

在该第N层金属层的上方形成介电层；

在该介电层中形成凹室，使该凹室的目标深度加上该第N层厚度误差值；

在该介电层上形成金属材料层，并填充该凹室；以及

进行平坦化制作工艺。

9.如权利要求7或8所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，其中形成具有该第N+1层实际厚度的该第N+1层金属层的步骤，还包括根据该第N层厚度误差值、该目标深度或该目标移除厚度，调整该介电层的厚度。

10.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容器的制作方法，包括:

根据该第N层预期电容值，计算该第N层金属层和该第N+1层金属层的多个指状金属线之间的第N层预期间隔距离和第N+1层预期间隔距离；

根据该第N层预期间隔距离，在该基材上方形成该第N层金属层；

计算该第N层金属层的第N层实际间隔距离与该第N层预期间隔距离之间的第N层误差间隔距离；

根据该第N层误差间隔距离调整该第N+1层金属层的该第N+1层预期间隔距离。