[发明专利]一种桥式功率模块的反偏测试电路在审
申请号: | 202110531047.0 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113092993A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李桢;彭昊;陈学敏;唐中华;武慧 | 申请(专利权)人: | 浙江翠展微电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314112 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 测试 电路 | ||
本发明涉及测试电路领域,尤其涉及一种桥式功率模块的反偏测试电路,包括电源,所述电源的电路上串联被测的半桥功率模块,所述半桥功率模块的电路上并联上分压电阻与下分压电阻以组成其分压电路,所述半桥功率模块包括相串联的上桥臂功率器件与下桥臂功率器件,在所述下桥臂功率器件的电路上以及下分压电阻的电路上分别连接有采样反偏漏电流的电流检测模块,本发明可以实现上下桥臂功率器件的同时测量,相比与目前所采用的上下桥分开测的方法,节省了一半的时间;在本测试方法中,采样电路全部在低边,相比于高边电流采样,电路结构简单,易于实现,成本更低。
技术领域
本发明涉及测试电路领域,尤其涉及一种桥式功率模块的反偏测试电路。
背景技术
为了更高的集成度和更好的性能,我们把多个功率器件如金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、功率二极管以及绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)封装在一个模块中,成为功率模块。其中以桥式结构最为普遍。如两个单元的功率器件构成上下桥的半桥模块,四个单元功率器件构成的全桥模块,以及六个单元功率器件构成的三相全桥模块等。
为了品质控制,剔除早期失效,通常在出厂前要进行一定时间的老化试验。其中一定温度,湿度条件下的反偏试验是其中最主要的老化试验。反偏试验是在每个功率器件截止的状态下施加一定的电压,通过检测相应功率器件的漏电流来检测该功率器件的状态,如果漏电流超过限制,则认为该器件失效。在反偏试验,特别是高压桥式功率模块的反偏试验中,目前通常是先给上桥臂的器件施加反偏电压进行测试,完成后再给下桥臂的器件施加同样的反偏电压测试,这是非常浪费时间的。例如,要对一个桥式功率模块施加一个8小时的老化试验,如果先测上桥臂器件再测下桥臂器件,那么总共需要16个小时。如果可以同时进行上下桥臂的反偏测试,将大大节省时间。图1所示为目前所采用的同时进行上下桥臂测试的电路图。该类方法的主要问题是需要在高压端采样漏电流以及负压端采样电流,系统复杂,成本高,所以没有被广泛采用。
发明内容
本发明的目的是为了解决背景技术中存在的需要在高压端采样漏电流以及负压端采样电流,系统复杂,成本高的问题,而提出的一种桥式功率模块的反偏测试电路。
为达到以上目的,本发明采用的技术方案为:一种桥式功率模块的反偏测试电路,包括电源,所述电源的电路上串联被测的半桥功率模块,所述半桥功率模块的电路上并联上分压电阻与下分压电阻以组成其分压电路,所述半桥功率模块包括相串联的上桥臂功率器件与下桥臂功率器件,在所述下桥臂功率器件的电路上以及下分压电阻的电路上分别连接有采样反偏漏电流的电流检测模块。
优选的,位于所述下桥臂功率器件上的电流检测模块包括第一电流采样电阻,所述第一电流采样电阻与下桥臂功率器件相串联。
优选的,所述第一电流采样电阻的电路上并联有第一信号处理电路。
优选的,位于所述下分压电阻上的电流检测模块包括第二电流采样电阻,所述第二电流采样电阻与下分压电阻相串联。
优选的,所述第二电流采样电阻的电路上并联有第二信号处理电路。
优选的,位于所述下分压电阻上的电流检测模块包括穿串联的第一分压电阻与第二分压电阻,所述第一分压电阻与第二分压电阻共同并联在下分压电阻的电路上。
优选的,所述第二分压电阻的电路上并联有第三信号处理电路。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
1、可以实现上下桥臂功率器件的同时测量,相比与目前所采用的上下桥分开测的方法,节省了一半的时间。
2、本测试方法中,采样电路全部在低边,相比于高边电流采样,电路结构简单,易于实现,成本更低。
附图说明
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