[发明专利]远红外线感测元件及制造方法与感测介电层厚度决定方法

权利要求书

1.一种远红外线感测元件，该远红外线感测元件包含：

一感测区，形成于一基板上，该感测区用以感测一远红外线信号；以及

一感测介电层，形成于该感测区上，具有一感测介电层厚度，且该感测介电层厚度由一牺牲金属层所决定。

2.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中，该基板上另外形成一外围电路，该外围电路包括至少一金属氧化半导体元件以及多个金属层，且该多个金属层中的其中之一与该牺牲金属层由同一金属沉积工艺步骤所形成。

3.如权利要求1或2所述的远红外线感测元件，其中，该感测介电层厚度由以下的工艺步骤所决定：

形成该感测介电层于该感测区上，且该感测介电层具有该感测介电层厚度；

沉积该牺牲金属层于该感测介电层上；

形成一层间介电层于该牺牲金属层上；

以一第一蚀刻工艺步骤，蚀刻该层间介电层，其中在该第一蚀刻工艺步骤中，蚀刻该层间介电层的速度高于蚀刻该牺牲金属层的速度，且该第一蚀刻工艺步骤以该牺牲金属层为其蚀刻停止层；

以一第二蚀刻工艺步骤，蚀刻该牺牲金属层。

4.如权利要求3所述的远红外线感测元件，其中，还包括一阻挡层，形成于该感测介电层上。

5.如权利要求4所述的远红外线感测元件，其中，该感测介电层厚度还由以下的工艺步骤所决定：

沉积该阻挡层于该感测介电层与该牺牲金属层之间；

其中在该第二蚀刻工艺步骤中，蚀刻该牺牲金属层的速度高于蚀刻该阻挡层的速度，且该第二蚀刻工艺步骤以该阻挡层为其蚀刻停止层。

6.如权利要求3所述的远红外线感测元件，其中，该第一蚀刻工艺步骤为非等向性蚀刻工艺，且该第二蚀刻步骤为等向性蚀刻工艺。

7.如权利要求3所述的远红外线感测元件，其中，该第二蚀刻工艺步骤为湿式蚀刻工艺步骤，其蚀刻液包括氢氧化四甲基胺溶液及/或氢氧化钾溶液。

8.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中，该远红外线感测元件包括一热电堆感测元件。

9.一种远红外线感测元件的制造方法，包含：

形成一感测区于一基板上，其中该感测区用以感测一远红外线信号；

形成一感测介电层于该感测区上，其中该感测介电层具有一感测介电层厚度；

沉积一牺牲金属层于该感测介电层上；

形成一层间介电层于该牺牲金属层上；

以一第一蚀刻工艺步骤，蚀刻该层间介电层，其中在该第一蚀刻工艺步骤中，蚀刻该层间介电层的速度高于蚀刻该牺牲金属层的速度，且该第一蚀刻工艺步骤以该牺牲金属层为其蚀刻停止层；

以一第二蚀刻工艺步骤，蚀刻该牺牲金属层。

10.如权利要求9所述的远红外线感测元件的制造方法，其中，该基板上另外形成一外围电路，该外围电路包括至少一金属氧化半导体元件以及多个金属层，且该多个金属层中的其中之一与该牺牲金属层由同一金属沉积工艺步骤所形成。

11.如权利要求9所述的远红外线感测元件的制造方法，其中，还包含：

沉积一阻挡层于该感测介电层与该牺牲金属层之间；

其中在该第二蚀刻工艺步骤中，蚀刻该牺牲金属层的速度高于蚀刻该阻挡层的速度，且该第二蚀刻工艺步骤以该阻挡层为其蚀刻停止层。

12.如权利要求9所述的远红外线感测元件的制造方法，其中，该第一蚀刻工艺步骤为非等向性蚀刻工艺，且该第二蚀刻步骤为等向性蚀刻工艺。

13.如权利要求9所述的远红外线感测元件的制造方法，其中，该第二蚀刻工艺步骤为湿式蚀刻工艺步骤，其蚀刻液包括氢氧化四甲基胺溶液及/或氢氧化钾溶液。