[发明专利]用于处理衬底的法兰和设备

说明书

本公开涉及一种用于处理衬底的设备例如立式炉中的处理管的法兰。法兰可以设置有开口和冷却通道，开口用于在使用中进入处理管的处理室，冷却通道用于允许冷却流体流过其中并冷却法兰。导热率在0.1和40W/m K之间的材料可以至少部分地设置在冷却流体和法兰的其余部分之间。

技术领域

本公开涉及一种用于处理衬底的设备中的处理管的法兰。法兰可以设置有开口和冷却通道，该开口用于在使用中进入处理管的内部，该冷却通道用于允许冷却流体流动并冷却法兰。

更具体地，本公开涉及一种用于处理衬底的设备，包括：

处理管，其形成处理室并在下端设置有开口；

加热器，其围绕处理管用于加热处理管；

用于处理管的法兰，其包括与处理管的开口对齐的开口和密封处理室的密封件；以及

冷却通道，用于允许冷却流体流过其中并冷却密封件。

背景技术

半导体衬底可以在立式炉中成批处理。这种处理的示例是在衬底上沉积各种材料层。由于各种原因，包括电和物理性质的均匀性，沉积层通常需要高纯度和均匀性。然而，沉积结果会受到炉中颗粒物质存在的不利影响。在某些情况下，颗粒会停留在层上或结合到层中，从而降低沉积层的纯度和均匀性。因此，为了始终如一地获得高质量处理结果，需要能够始终如一地获得低颗粒水平的处理方法和系统。

颗粒可能是反应副产物形成的结果，这些副产物在较低温度下凝结在靠近处理管开口的一个法兰上。因此，在处理过程中，法兰的温度可以保持在升高的温度，以避免冷凝。然而，当热晶片负载从反应管卸载时，热负载可能向法兰辐射热量，这可能进一步加热法兰。可以用于密封法兰与管或炉其他部件的密封O形环可能会过热，并因该过热而开始泄漏。为了避免过热，法兰可以设置有温度控制。

发明内容

提供此发明内容是为了以简化的形式介绍概念选择。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。此发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

目的是提供一种具有改进的温度控制的法兰，从而可以避免密封件过热和/或副产物过多冷凝。

根据一方面，可以提供一种用于处理衬底的设备中的处理管的法兰。该法兰设置有开口和冷却通道，该开口用于在使用中进入处理管的处理室，该冷却通道用于允许冷却流体流过其中并冷却法兰。导热率在0.1和40W/m K之间的材料至少部分地设置在冷却流体和法兰的其余部分之间。

根据另一方面，可以提供一种用于处理衬底的设备，包括：

处理管，其形成处理室并在下端设置有开口；

加热器，其围绕处理管用于加热处理管；

用于处理管的法兰，其包括与处理管的开口对齐的开口和密封处理室的密封件；以及

冷却通道，用于允许冷却流体流过其中并冷却密封件。导热率在0.1和40W/m K之间的材料可以至少部分地设置在冷却流体和密封件之间。

为了概述本发明以及相对于现有技术所获得的优点，本发明的某些目的和优点已经在上面进行了描述。当然，应当理解，根据本发明的任何特定实施例，不一定可以实现所有这些目的或优点。因此例如，本领域技术人员将认识到，本发明可以以实现或优化如本文教导或建议的一个优点或一组优点的方式来实施或执行，而不一定实现如本文教导或建议的其他目的或优点。

所有这些实施例都在本文公开的本发明的范围内。从下面参照附图对某些实施例的详细描述中，这些和其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见，本发明不限于所公开的任何特定实施例。

附图说明