[发明专利]包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法在审
| 申请号： | 202110555371.6 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113699502A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 须佐圭雄;美山辽;菊地良幸 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/50;C23C16/56;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 多个碳层 结构 及其 形成 使用 方法 | ||
1.一种形成结构的方法，所述方法包括以下步骤：
在反应室内提供衬底，所述衬底包括在所述衬底的表面上形成的一个或更多个凹槽；
形成覆盖所述表面的第一碳层；以及
形成覆盖所述第一碳层的第二碳层；
其中，所述第一碳层的密度大于所述第二碳层的密度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个凹槽中的至少一个凹槽形成在两个特征之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一碳层相对于所述表面的高度大于所述特征相对于所述表面的高度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述第一碳层的密度比所述第二碳层的密度大约10％至约50％。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括化学机械抛光所述第二碳层的步骤。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括化学机械抛光所述第一碳层的至少一部分的步骤。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述第一碳层的化学机械抛光速率小于所述第二碳层的化学机械抛光速率。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，形成所述第一碳层的所述步骤包括等离子体工艺。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，形成所述第二碳层的所述步骤包括等离子体工艺。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括用于处理所述第一碳层的等离子体处理步骤。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，还包括用于处理所述第二碳层的等离子体处理步骤。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，在形成所述第一碳层的所述步骤中的所述反应室内的温度小于100℃。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，在形成所述第二碳层的所述步骤中的所述反应室内的温度小于100℃。
14.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，形成所述第一碳层的所述步骤包括向所述反应室提供碳前驱体，其中，所述碳前驱体的化学式由CxHyNz表示，其中，x是2或更大的自然数、y是自然数、且z是0或自然数。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，形成所述第二碳层的所述步骤包括向所述反应室提供碳前驱体，其中，所述碳前驱体的化学式由CxHyNz表示，其中，x是2或更大的自然数、y是自然数、且z是0或自然数。
16.根据权利要求14和15中任一项所述的方法，其中，所述碳前驱体包括环状结构。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述环状结构包括双键。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，还包括刻蚀所述第二碳层的步骤。
19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，还包括刻蚀所述第一碳层的步骤。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，刻蚀所述第一碳层和所述第二碳层的所述步骤包括非选择性地刻蚀所述第二碳层和所述第一碳层。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
