[发明专利]包括贯通电极的半导体芯片及包括其的半导体封装件在审
| 申请号： | 202110563211.6 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114267653A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 孙晧荣;金成圭;杨周宪 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 贯通 电极 半导体 芯片 封装 | ||
1.一种半导体芯片，该半导体芯片包括：
主体部分，所述主体部分具有前表面和后表面；
贯通电极，所述贯通电极贯穿所述主体部分；
布线部分，所述布线部分设置在所述主体部分的所述前表面上方；
后连接电极，所述后连接电极设置在所述主体部分的所述后表面上方；以及
前连接电极，所述前连接电极设置在所述布线部分上方，
其中，所述后连接电极包括同时连接至两个或更多个电源贯通电极的电源后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述前连接电极的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述后连接电极还包括连接至一个信号贯通电极的信号后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述信号后连接电极的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述后连接电极还包括未连接至所述贯通电极的虚设后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述虚设后连接电极的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，多个后连接电极之间的节距是恒定的。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述两个或更多个电源贯通电极被布置成一排。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述两个或更多个电源贯通电极中的每一个被设置在多边形的顶点。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述后连接电极还包括连接至一个电源贯通电极的其它电源后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述其它电源后连接电极的宽度。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中，所述电源后连接电极被设置在边缘区域中，并且
其中，所述其它电源后连接电极被设置在中央区域中。
9.一种半导体芯片，该半导体芯片包括：
主体部分，所述主体部分具有前表面和后表面；
贯通电极，所述贯通电极贯穿所述主体部分；以及
后连接电极，所述后连接电极设置在所述主体部分的所述后表面上方；
其中，所述后连接电极包括同时连接至两个或更多个电源贯通电极的电源后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于不是所述电源后连接电极的其它后连接电极的宽度。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述其它后连接电极包括连接至一个信号贯通电极的信号后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述信号后连接电极的宽度。
11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述其它后连接电极包括未连接至所述贯通电极的虚设后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述虚设后连接电极的宽度。
12.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，多个后连接电极之间的节距是恒定的。
13.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述两个或更多个电源贯通电极被布置成一排。
14.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述两个或更多个电源贯通电极中的每一个被设置在多边形的顶点。
15.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述后连接电极还包括连接至一个电源贯通电极的其它电源后连接电极，并且
其中，所述电源后连接电极的宽度大于所述其它电源后连接电极的宽度。
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