[发明专利]包括贯通电极的半导体芯片及包括其的半导体封装件

说明书

本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片及包括其的半导体封装件。一种半导体芯片包括：主体部分，其具有前表面和后表面；贯通电极，其贯穿主体部分；布线部分，其设置在主体部分的前表面上方；后连接电极，其设置在主体部分的后表面上方；以及前连接电极，其设置在布线部分上方，其中，后连接电极包括同时连接至两个或更多个电源贯通电极的电源后连接电极，并且其中，电源后连接电极的宽度大于前连接电极的宽度。

技术领域

本专利文档涉及半导体技术，并且更具体地涉及包括贯通电极的半导体芯片以及包括半导体芯片的半导体封装件。

背景技术

电子产品需要多功能和大容量数据处理，同时它们的尺寸越来越小。因此，还要求用于这种电子产品的半导体芯片厚度薄并且尺寸小。此外，已经制造了其中嵌入有多个半导体芯片的半导体封装件。

多个半导体芯片可以通过穿过每个半导体芯片并提供电连接路径的贯通孔(through via)彼此连接。

发明内容

在实施方式中，一种半导体芯片可以包括：主体部分，其具有前表面和后表面；贯通电极，其贯穿主体部分；布线部分，其设置在主体部分的前表面上方；后连接电极，其设置在主体部分的后表面上方；以及前连接电极，其设置在布线部分上方，其中，后连接电极包括同时连接至两个或更多个电源贯通电极的电源后连接电极，并且其中，电源后连接电极的宽度大于前连接电极的宽度。

在另一实施方式中，一种半导体芯片可以包括：主体部分，其具有前表面和后表面；贯通电极，其贯穿主体部分；以及后连接电极，其设置在主体部分的后表面上方，其中，后连接电极包括同时连接至两个或更多个电源贯通电极的电源后连接电极，并且其中，电源后连接电极的宽度大于不是电源后连接电极的其它后连接电极的宽度。

在另一实施方式中，一种半导体封装件可以包括：第一半导体芯片，其包括具有前表面和后表面的第一主体部分、贯穿第一主体部分的第一贯通电极、以及设置在第一主体部分的后表面上方的第一后连接电极；以及第二半导体芯片，其包括具有前表面和后表面的第二主体部分、设置在第二主体部分的前表面上方的第二布线部分、以及设置在第二布线部分上方的第二前连接电极，其中，第一后连接电极和第二前连接电极彼此电连接，第一后连接电极包括同时连接至两个或更多个第一电源贯通电极的第一电源后连接电极，并且第一电源后连接电极的宽度大于第二前连接电极的宽度。

在实施方式中，一种半导体芯片可以包括：主体部分，其具有前表面和后表面；多个贯通电极，其贯穿主体部分；布线部分，其设置在主体部分的前表面上方；多个后连接电极，其设置在主体部分的后表面上方以连接至相应的贯通电极；以及多个前连接电极，其设置在布线部分上方以连接至相应的贯通电极，其中，后连接电极中的一个或更多个后连接电极同时连接至两个或更多个贯通电极，并且其中，后连接电极中的同时连接至两个或更多个贯通电极的一个或更多个后连接电极的宽度大于前连接电极的宽度。

附图说明

图1是例示根据本公开的实施方式的半导体芯片的截面图。

图2是例示根据本公开的实施方式的层叠的半导体芯片的截面图。

图3A是例示接合至第一虚设后连接电极或第一信号后连接电极的第二接合层的形状的示例的截面图。

图3B是例示接合至第一电源后连接电极的第二接合层的形状的示例的截面图。

图4A是例示根据本公开的另一实施方式的半导体芯片的平面图。

图4B是沿着图4A的线A1-A1′截取的截面图。

图5是例示根据本公开的另一实施方式的半导体芯片的平面图。

图6是例示根据本公开的实施方式的半导体封装件的截面图。

图7是例示根据本公开的另一实施方式的层叠的半导体芯片的截面图。