[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202110590681.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113764287A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 横山脩平;柴田祥吾;中村宏之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其中，
设置至少1个半导体元件，
向所述半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，
在所述第1端子形成第1弯折部，
就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
多个所述第2端子与所述半导体元件连接，
在各个所述第2端子形成第2弯折部，
就相邻的多个所述第2端子而言，在彼此相对的面，所述第2弯折部凸出。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
向所述半导体元件连接所述多个第1端子和所述第2端子是指，向所述半导体元件连接引线，将所述引线的成为所述第1端子或者所述第2端子的部位间的区域即连结杆部切断，
在与相邻的所述多个第1端子间的区域对应的所述连结杆部形成狭缝。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述狭缝的朝向相邻的所述多个第1端子的面为凸形状。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述狭缝仅在相邻的所述多个第1端子的附近形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
向所述半导体元件连接所述多个第1端子和所述第2端子是指，向所述半导体元件连接引线，将所述引线的成为所述第1端子或者所述第2端子的部位间的区域即连结杆部切断，
用于将所述连结杆部切断的切割部件对应于相邻的所述多个第1端子间的区域而具有凸形状的端面。
7.一种半导体装置，其具有：
至少1个半导体元件；以及
多个端子，它们与所述半导体元件连接，
所述多个端子具有：
多个第1端子，它们具有第1弯折部；以及
至少1个第2端子，其是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，
就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
具有多个所述第2端子，
各个所述第2端子具有第2弯折部，
就相邻的多个所述第2端子而言，在彼此相对的面，所述第2弯折部凸出。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件使用宽带隙半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
