[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。本说明书所公开的技术是用于确保端子间的空间距离以及沿面距离，并且抑制半导体装置大型化的技术。与本说明书所公开的技术相关的半导体装置的制造方法是，设置至少1个半导体元件，向半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比第1端子低的电压的控制用端子，在第1端子形成第1弯折部，就相邻的多个第1端子而言，在彼此相对的面，第1弯折部不凸出。

技术领域

本说明书所公开的技术涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

例如，就专利文献1所公开的半导体装置而言，与半导体元件连接的多个引线端子被向外部引出，彼此分离地配置。

专利文献1：日本特开平10-189859号公报

特别地，在将半导体装置用于大功率用途的情况下，为了确保空间距离以及沿面距离，需要将引线端子间的距离(端子间距)设定得长。另一方面，在对引线端子进行加工的过程中，有时引线端子的弯折部位(弯折部)膨胀，使得引线端子间的距离变短。

如果考虑上述情况而增大端子间距，则存在半导体装置过度大型化的问题。

发明内容

本说明书所公开的技术就是鉴于以上所记载的问题而提出的，是用于确保端子间的空间距离以及沿面距离，并且抑制半导体装置大型化的技术。

本说明书所公开的技术的第1方式涉及半导体装置的制造方法，设置至少1个半导体元件，向所述半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，在所述第1端子形成第1弯折部，就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。

本说明书所公开的技术的第2方式涉及半导体装置，该半导体装置具有：至少1个半导体元件；以及多个端子，它们与所述半导体元件连接，所述多个端子具有：多个第1端子，它们具有第1弯折部；以及至少1个第2端子，其是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。

发明的效果

本说明书所公开的技术的第1方式涉及半导体装置的制造方法，设置至少1个半导体元件，向所述半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，在所述第1端子形成第1弯折部，就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。根据这样的结构，在被施加高电压的端子间的相对的面，弯折部不凸出，从而引线端子间的空间距离以及沿面距离不变短。因此，能够减小半导体装置的尺寸。

本说明书所公开的技术的第2方式涉及半导体装置，该半导体装置具有：至少1个半导体元件；以及多个端子，它们与所述半导体元件连接，所述多个端子具有：多个第1端子，它们具有第1弯折部；以及至少1个第2端子，其是被施加比所述第1端子低的电压的控制用端子，就相邻的所述多个第1端子而言，在彼此相对的面，所述第1弯折部不凸出。根据这样的结构，在被施加高电压的端子间的相对的面，弯折部不凸出，从而引线端子间的空间距离以及沿面距离不变短。因此，能够减小半导体装置的尺寸。

另外，与本说明书所公开的技术相关的目的、特征、方案、优点通过以下所示的详细说明和附图变得更清楚。

附图说明

图1是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构的例子的俯视图。

图2是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构的例子的剖面图。

图3是与图1以及图2所例示的结构对应的电路图。

图4是图3所示的结构中的主要与高压IC以及低压IC相关的电路图。