[发明专利]磁隧道结结构及集成方案

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

位于电介质层中的接触柱；

位于所述接触柱上方的磁隧道结；

位于所述磁隧道结的侧壁上并在所述电介质层的水平表面上方延伸的阻挡层；以及

位于所述阻挡层上方的间隔物。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述阻挡层在所述电介质层的上部的侧壁上方延伸。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述电介质层的所述上部位于所述阻挡层和所述接触柱之间。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述阻挡层在所述接触柱的上部上方延伸。

5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述磁隧道结的宽度等于所述接触柱的宽度。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述间隔物位于所述阻挡层的上表面和侧壁上。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述间隔物完全覆盖所述阻挡层的所述上表面。

8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述间隔物和所述阻挡层完全覆盖所述磁隧道结的所述侧壁。

9.根据权利要求1所述的存储器器件，进一步包括：

覆盖所述间隔物和所述电介质层的低介电常数材料。

10.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述间隔物由原硅酸四乙酯(TEOS)或氮化硅制成。

11.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述低介电常数材料包括SiCOH或超低介电常数材料。

12.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电介质层包括TEOS、SiCOH或氮化硅。

13.一种存储器器件阵列，包括：

位于电介质层中的第一接触柱和第二接触柱；

位于所述第一接触柱上方的第一磁隧道结和位于所述第二接触柱上方的第二磁隧道结；

位于所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结的侧壁上的阻挡层，其中所述阻挡层在所述电介质层的水平表面上方延伸；以及

位于所述阻挡层上方的间隔物。

14.根据权利要求13所述的存储器器件阵列，其中，所述间隔物位于所述第一磁隧道结与所述第二磁隧道结之间的间隙中。

15.根据权利要求14所述的存储器器件阵列，其中，所述间隔物完全填充所述第一磁隧道结与所述第二磁隧道结之间的间隙。

16.根据权利要求13所述的存储器器件阵列，进一步包括：

覆盖所述间隔物和所述电介质层的低介电常数材料。

17.一种制造存储器器件的方法，包括：

在电介质层中设置接触柱；

在所述接触柱上方设置磁隧道结；

在所述磁隧道结的侧壁上和所述电介质层的水平表面上方设置阻挡层；以及

在所述阻挡层上方设置间隔物。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：

使用所述磁隧道结作为掩蔽层对所述电介质层进行图案化，以留下所述磁隧道结下方的所述电介质层的一部分。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述磁隧道结的侧壁上和所述电介质层的水平表面上方设置所述阻挡层进一步包括：

在所述磁隧道结下方的所述电介质层的所述一部分上方设置所述阻挡层。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述阻挡层上方设置间隔物进一步包括：

在所述阻挡层上方形成电介质间隔物材料；

图案化所述电介质间隔物材料，以在所述磁隧道结的所述侧壁和所述电介质层的所述水平表面上方留下所述电介质间隔物材料的一部分。