[发明专利]晶片的加工方法和加工装置在审
申请号: | 202110590878.5 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113764338A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 斋藤良信 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683;H01L23/544 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 装置 | ||
本发明提供晶片的加工方法和加工装置,防止加工条件的选择错误。利用具有加工单元和显示单元的加工装置对外周形成有标记的晶片进行加工的晶片的加工方法具有如下步骤:准备步骤,准备框架单元,该框架单元具有该晶片、粘贴于该晶片的带和在内周部粘贴有该带的外周部的环状框架;加工条件选择步骤,选择利用该加工单元对该晶片进行加工时的加工条件;和代表图像显示步骤,使该显示单元显示与该加工条件关联而登记在该加工装置中的代表图像,该环状框架在外周形成有切口,在该框架单元中,根据该加工条件来确定该标记与该切口的位置关系,在该代表图像中映现该环状框架的该切口与该晶片的该标记处于该位置关系的该框架单元的代表例。
技术领域
本发明涉及对借助粘接带而支承于环状框架的开口部的晶片进行加工的晶片的加工方法和加工装置。
背景技术
在制造搭载于电子设备的器件芯片时,首先,在半导体晶片的正面上设定相互交叉的多条分割预定线,在由分割预定线划分的各区域中形成IC(Integrated Circuit:集成电路)或LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)等器件。然后,利用磨削装置从背面侧对晶片进行磨削而使晶片薄化,使用切削装置、激光加工装置等沿着分割预定线对该晶片进行分割。于是,能够得到各个器件芯片。
在磨削装置、切削装置、激光加工装置等各种加工装置中,按照与晶片或器件芯片的规格对应的适当的加工条件对晶片进行加工(例如,参照专利文献1、专利文献2等)。在加工装置的控制单元中预先登记有用于对各种晶片进行加工的多个加工条件,操作者从所登记的多个加工条件中选择适当的加工条件,使该加工装置实施加工。
专利文献1:日本特开2015-126054号公报
专利文献2:日本特开平10-305420号公报
但是,在加工装置中登记有多个加工条件,并且也存在相互类似的加工条件。因此,在根据晶片等的规格来选择适当的加工条件时,有时操作者会选择错误的加工条件。在选择了错误的加工条件的情况下,不仅无法得到期望的加工结果,还存在在晶片上产生裂纹、缺损等损伤的情况或者加工装置发生故障的情况。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供晶片的加工方法和加工装置,能够防止加工条件的选择错误从而以适当的加工条件对晶片进行加工。
根据本发明的一个方式,提供一种晶片的加工方法,利用具有加工单元和显示单元的加工装置对外周形成有标记的晶片进行加工,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:准备步骤,准备框架单元,该框架单元具有该晶片、带以及环状框架,该带粘贴于该晶片的正面或背面上且直径比该晶片的直径大,该环状框架具有直径比该晶片的直径大的开口部并且在该环状框架的内周部粘贴有该带的外周部;加工条件选择步骤,从登记在该加工装置中的多个加工条件中选择利用该加工单元对该晶片进行加工时的加工条件;以及代表图像显示步骤,使该显示单元显示与通过该加工条件选择步骤而选择的该加工条件关联而登记在该加工装置中的代表图像,该环状框架在外周形成有切口,在该框架单元中,根据利用该加工单元对该晶片进行加工时的该加工条件来确定形成于该晶片的该外周部的该标记与该环状框架的该切口的位置关系,通过该准备步骤而准备的该框架单元是按照使该环状框架的该切口与该晶片的该标记成为该位置关系的方式将该环状框架、该晶片以及该带一体化而形成的,在通过该代表图像显示步骤而显示于该显示单元的该代表图像中,映现有该环状框架的该切口与该晶片的该标记处于该位置关系的该框架单元的代表例。
优选该晶片的加工方法还具有如下的判定步骤:在该代表图像显示步骤之后,对该代表图像中所映现的该代表例与通过该准备步骤而准备的该框架单元进行比较,判定该加工条件是否适当,在通过该判定步骤判定为该加工条件适当的情况下,实施利用该加工单元按照该加工条件对该晶片进行加工的加工步骤,在通过该判定步骤判定为该加工条件不适当的情况下,实施将该框架单元从该加工装置搬出的搬出步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造