[发明专利]一种双带通滤光片及其制作方法

权利要求书

1. 一种双带通滤光片，其特征在于：包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和设于基底另一侧的AR膜系，所述双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述双带通膜系的膜系结构为由(0.5LH0.5L)^13 和1.5(0.5LH0.5L)^10两个膜堆互相堆叠而成，所述双带通膜系的过渡带中心波长为740nm，所述(0.5LH0.5L)^13中的13为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数，所述1.5(0.5LH0.5L)^10中的10为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数；所述AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层，所述AR膜系的膜系结构为(0.5LH0.5L)^13，所述AR膜系的过渡带中心波长为740nm；上述双带通膜系和AR膜系各自膜系结构中的H为代表1个基本厚度的高折射率膜层，L代表1个基本厚度的低折射率膜层，0.5L代表0.5个基本厚度的低折射率膜层，1个H或1个L对应的基本厚度代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度；

所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。

2.根据权利要求1所述的一种双带通滤光片，其特征在于，所述的双带通膜系和所述AR膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。

3.一种双带通滤光片制作方法，用于上述权利要求1-2中任一所述双带通滤光片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S01，将超声清洗干净的玻璃基底放入镀膜治具中，并转入洁净的低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；

步骤S02，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；

步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底一侧表面；

步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧表面沉积双带通膜系，双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；

步骤S05，将镀好的干净单面玻璃基底放入低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；

步骤S06，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；

步骤S07，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底另一侧表面；

步骤S08，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧表面沉积AR膜系，AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；

步骤S09，玻璃基底自然冷却至室温后得到双带通滤光片；

所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。

4.根据权利要求3所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层；所述步骤S04包括：

步骤S41，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O₂流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；

步骤S42,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O₂流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；

步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；

步骤44，重复步骤S41完成最后一层。