[发明专利]一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法

权利要求书

1.一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将金属箔作为生长基底置于支撑材料上，然后将载有金属箔的支撑材料放入化学气相沉积装置的反应区中；

S2，将含有氮源和硼源的前驱体置于化学气相沉积装置的上游区，所述上游区位于所述反应区之沿载气流动方向的上游方向；

S3，通入载气，加热反应区，直至金属箔呈完全熔融状态，然后加热所述上游区，上游区的温度为75～90℃，进行化学气相沉积反应5～40min，冷却，得到六方氮化硼二维材料。

2.如权利要求1所述的一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：所述金属箔为铜箔、金箔或镍箔，所述金属箔的厚度为20-30μm。

3.如权利要求1所述的一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：所述支撑材料为钨箔，厚度为40-60μm。

4.如权利要求1所述一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：所述前驱体为硼烷氨。

5.如权利要求1-4任意一项所述一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：步骤S1中还包括预处理步骤，预处理步骤为，采用化学溶液浸泡金属箔，以对金属箔表面进行杂质去除处理，然后用去离子水冲洗，氮气枪吹干，得到干净的金属箔。

6.如权利要求5所述一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：所述化学溶液为冰醋酸，浸泡时间为3-10min。

7.如权利要求5所述一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：步骤S1中，将2-4片干净的金属箔堆叠于支撑材料上，所述支撑材料水平放置于反应区中。

8.如权利要求1-4任意一项所述一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：步骤S2中具体操作为，取前驱体置于石英舟中，将载有前驱体的石英舟放置于上游区中，所述上游区距离金属箔中心30-40cm。

9.如权利要求1-4任意一项所述的一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：步骤S3中，所述载气为氩气和氢气组成的混合气体，所述氩气的流速为180-220sccm，所述氢气的流速为18-22sccm。

10.如权利要求9所述的一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，其特征在于：步骤S3中，所述金属箔为铜箔，加热反应区的具体操作为：将反应区内的温度在40min内升温至1085℃，并恒温保持10-15min以确保铜箔完全熔融。