[发明专利]一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法在审
申请号: | 202110613115.8 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN113358536A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 段羽;李泽;王振宇;赵文卓;上官廉朝;陈子强 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G01N15/06 | 分类号: | G01N15/06;G01N15/10;G01N21/94 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
地址: | 130012 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 薄膜 制备 仪器 环境 中的 灰尘 颗粒 检测 方法 | ||
本发明公开了一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法,包括下述步骤:S1、在衬底上生成一层金属薄膜,在金属薄膜的表面生长封装薄膜形成待测样品;S2、通过相机实时对待测样品进行成像;S3、判断图像的灰度值是否均匀下降,当图像的灰度值未均匀下降且局部灰度值下降迅速时,将所述图像中局部缺陷点的数量作为封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒数量。本方法可以检测出封装薄膜制备仪器环境中灰尘颗粒的数量,并且能够对当前环境的灰尘颗粒浓度进行评估。
技术领域
本发明属于薄膜技术领域,尤其涉及一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法。
背景技术
随着封装工艺的不断发展,原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、物理气相沉积(Physical VapourDeposition,PVD)、射频溅射、磁控溅射等技术因具有薄膜致密性高、保型性好等优势,被广泛应用于封装薄膜制备工艺。不同薄膜制备仪器舱体内部和半导体制造车间中均存在或多或少的灰尘颗粒,附着在衬底表面的灰尘颗粒周围限制成核,粒子在薄膜内部产生真空或缺陷,封装薄膜水汽阻隔性能下降,不能对电子器件进行有效保护,对电子器件性能造成影响。除此之外,薄膜缺陷处为应力集中点,在柔性电子器件弯折或拉伸时,应力集中在缺陷位置处,导致该位置容易发生裂痕或翘曲等机械损伤,降低水汽阻隔性能。
目前常常采用粒子计数仪器对制备仪器外部环境中灰尘颗粒数量进行检测,但是这种测试手段只能对薄膜制备仪器外部的大气环境中的灰尘颗粒进行检测,无法对制备仪器腔体内部环境进行评估。设备产生的灰尘颗粒数量无法进行测量,检测结果与实际的灰尘颗粒数量偏差会很大。现在没有技术手段可以对薄膜制备仪器内部环境中灰尘颗粒数量进行评估,但是因为薄膜生长过程中腔体环境的灰尘颗粒对成膜质量造成影响,所以现有技术对设备的成膜质量进行评估,常常采用XRD(X射线衍射)、SEM(扫描电子显微镜)、TEM(透射电子显微镜)、AFM(原子力显微镜)等方法。但这些手段工艺繁琐、价格昂贵、操作复杂,难以广泛应用。同时,利用上述方法只能观察微米甚至纳米级别的区域,观察范围十分有限,无法对灰尘颗粒数量进行定量评估。
发明内容
本发明为解决上述问题,提供一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法,能够检测出封装薄膜制备仪器环境中灰尘颗粒的数量。
一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法,包括如下步骤:
S1、在衬底上生成一层金属薄膜,在金属薄膜的表面生长封装薄膜形成待测样品;
S2、通过相机实时对待测样品进行成像;
S3、判断图像的灰度值是否均匀下降,当图像的灰度值未均匀下降时且局部灰度值下降迅速,将图像中局部缺陷点的数量作为封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒数量。
优选的,图像中缺陷点的生成过程为:
封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒对封装薄膜造成破坏;
水汽从破坏处渗入封装薄膜,在金属薄膜上腐蚀出缺陷,成像时形成缺陷点。
优选的,金属薄膜为Mg、Ca、Ag中的一种。
优选的,步骤S1具体包括如下步骤:
S101、利用蒸发台将金属蒸发到衬底上;
S102、通过石英晶体微天平原位控制金属在衬底上的厚度;
S103、将衬底移入薄膜制备系统中进行薄膜制备;
其中,薄膜制备系统为待测样品的制备仪器。
优选的,相机为数字工业相机。
优选的,还包括与所述相机适配的平行光束,平行光束的光源为激光器或探照灯。
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