[发明专利]一种压电陶瓷伸长量的控制方法

权利要求书

1.一种压电陶瓷伸长量的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、硬件结构为MCU控制大功率同步半桥驱动电路，建立压电陶瓷驱动电压与MCU输出的PWM占空比之间的模型关系；

S2、利用设定伏秒积模型建立MCU输出的PWM占空比D与陶瓷驱动电压V_out的关系，得到精确驱动电压和占空比关系模型，公式为V_out＝k·V_power·D+b，其中，k为斜率，b为控制量；

k和b的值是通过若干组大PWM占空比D以及对应驱动电压V_out的算术平均值、若干组小PWM占空比D以及对应驱动电压V_out的算术平均拟合计算得到；

其中,大PWM占空比D为20％-40％,小PWM占空比D为75％-95％，步长5％；

S3、实时采集压电陶瓷驱动电压值，结合公式V_out＝k·V_power·D+b用模糊PID算法修正输出的PWM占空比D，得到准确的压电陶瓷驱动波形。

2.如权利要求1所述的压电陶瓷伸长量的控制方法，其特征在于，对所述S3的模糊PID算法修正输出的PWM占空比D，包括以下步骤：

S31、MCU控制器根据设定点胶参数确定驱动电压波形的目标电压值V_t；

S32、确定偏差E和偏差变化率EC的模糊子集及其论域，建立模糊规则库，设计模糊PID控制器；

S33、清析化得到比例系数K_p、积分系数K_i和微分系数K_d；

S34、根据增量式PID算出PWM占空比D修正值，与步骤S2中模型对应的PWM占空比D加权得到调整后的PWM占空比D。