[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基材，基材上设置有沟槽，沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于沟槽的开口的上方；第一磁性材、第一金属材和第二磁性材共同形成电感结构。该半导体封装装置可形成沟槽式的电感结构，能够有效减小电感结构的厚度并使基材表面平坦，进而减小电子设备的整体尺寸。此外，该半导体封装装置无需借助剥离制程形成，能够避免剥离制程产生的气体污染或者金属残留等问题，有利于提高产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

由于单芯片电感器(on-chip inductor)的结构特殊，为避免使用蚀刻制程对此结构造成不必要的损伤而影响整体的良率，需要借助剥离(Lift-off)制程形成需求的结构。

剥离(Lift-off)制程即是在光刻制程后将金属蒸镀上去，再将牺牲层溶解以剥离其他区域的金属附着，从而形成需求的金属图案。剥离制程能够有效应用在无法采用蚀刻制程的场景中。然而在剥离制程中，牺牲层(例如光阻)进入真空设备后容易在形成金属层时产生气体污染(outgasing)，从而影响金属与基材的接合效果。此外，如果牺牲层的的开口角度不足，其将无法被有效去除，进而导致其表面的金属层残留，造成产品损失(产品损失率例如大于20％)。

因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

发明内容

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

基材，所述基材上设置有沟槽，所述沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；

第二磁性材，位于所述沟槽的开口的上方；

所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第一绝缘材，位于所述第一磁性材和所述第一金属材之间。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第二绝缘材，覆盖所述沟槽的开口并至少部分包覆所述第二磁性材。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第三绝缘材，位于所述第一磁性材的外表面与所述凹槽的内表面之间。

在一些可选的实施方式中，所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第一绝缘材的上表面共面。

在一些可选的实施方式中，所述第二磁性材的上表面和所述第二绝缘材的上表面共面，所述第二磁性材的上表面暴露在外。

在一些可选的实施方式中，所述第二磁性材和所述第一金属材之间存在间隔，所述间隔被所述第二绝缘材填充。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：

第二金属材，位于所述第三绝缘材的外表面；

所述第一金属材、所述第一绝缘材、所述第一磁性材、所述第三绝缘材和所述第二金属材共同形成电容结构。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：

第四绝缘材，位于所述第二金属材的外表面和所述凹槽的内表面之间。

在一些可选的实施方式中，所述基材的材料为聚酰亚胺或者二氧化硅。

在一些可选的实施方式中，所述第一金属材的纵向截面的形状为方形、圆形或者三角形。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

在基材上形成沟槽；