[发明专利]多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法在审
申请号: | 202110660937.1 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113567828A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 迟雷;彭浩;高金环;黄杰;陈龙坡 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 低温 陶瓷 无损 失效 检测 方法 | ||
1.一种多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,包括:
对待测基板进行第一检测,基于所述第一检测得到的网络通断情况,确定失效网络号;
对所述失效网络号内的线路进行第二检测,确定所述待测基板的失效位置;
对所述失效位置进行分析,确定所述待测基板的失效机理。
2.如权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对所述失效网络号内的线路进行第二检测,确定所述待测基板的失效位置,包括:
采用阻抗测试系统,对目标失效网络号内的线路进行测试,得到所述目标失效网络号的散射参数,所述目标失效网络号为所有所述失效网络号中的任一失效网络号;
根据所述目标失效网络号的散射参数,确定所述目标失效网络号内的失效位置;
其中,所述阻抗测试系统包括:矢量网络分析仪、阻抗测试电路和同轴连接线;所述阻抗测试电路包括探针台和射频探针;
所述矢量网络分析仪通过所述同轴连接线与所述探针台的一端电连接,所述待测基板设于所述探针台上,所述射频探针用于对所述待测基板进行测试。
3.如权利要求2所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述根据所述目标失效网络号的散射参数,确定所述目标失效网络号内的失效位置,包括:
将所述目标失效网络号的散射参数中的S11曲线的峰值点对应的位置,确定为所述目标失效网络号内的失效位置。
4.如权利要求1或2所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对待测基板进行第一测试,基于待测基板的网络通断情况,确定失效网络号,包括:
利用飞针测试通断仪,对所述待测基板内所有网络号内的线路进行测试,得到所有所述网络号对应的测试数据;
根据预设值和所述测试数据的预设关系,确定所述失效网络号。
5.如权利要求4所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述利用飞针测试通断仪,对所述待测基板内所有网络号内的线路进行测试,得到所有所述网络号对应的测试数据,包括:
对所有所述网络号内的线路分别进行开路/导通测试和短路/绝缘测试,得到目标网络号对应的第一电阻值和第二电阻值;所述目标网络号为所有所述网络号内的任意一个网络号;
所述根据预设值和所述测试数据的预设关系,确定所述失效网络号,包括:
根据预设开路阀门电阻值与所述第一电阻值、预设绝缘阀门电阻值与所述第二电阻值,确定所述失效网络号。
6.如权利要求3所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,在所述对所述失效网络号内的线路进行第二检测,确定所述待测基板的失效位置之后,还包括:
将所述散射参数进行频域到时域的转换,得到所述失效网络号内所有位置的阻抗;
根据所述峰值点对应的阻抗,确定失效模式。
7.如权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对所述失效位置进行分析,确定所述待测基板的失效机理,包括:
采用X射线对所述失效位置进行检查,根据检查结果确定所述待测基板的失效机理。
8.如权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对所述失效位置进行分析,确定所述待测基板的失效机理,包括:
采用声学扫描显微镜对所述失效位置进行检查,根据扫描图像确定所述待测基板的失效机理。
9.如权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对所述失效位置进行分析,确定所述待测基板的失效机理,包括:
采用磁显微缺陷定位技术对所述失效位置的内部进行检查,根据检查结果确定所述待测基板的失效机理。
10.如权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷基板的无损失效检测方法,其特征在于,所述对所述失效位置进行分析,确定所述待测基板的失效机理,包括:
采用同步热发射分析技术对所述失效位置的内部进行检查,根据检查结果确定所述待测基板的失效机理。
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