[发明专利]一种DCT变换方法及DCT变换电路系统在审

专利信息
申请号: 202110663254.1 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113542770A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 张鹏;郝志坚;向国庆;范益波;严伟;贾惠柱 申请(专利权)人: 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院
主分类号: H04N19/625 分类号: H04N19/625;H04N19/124;H04N19/423
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 李小朋
地址: 311200 浙江省杭州市萧*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 dct 变换 方法 电路 系统
【权利要求书】:

1.一种DCT变换方法,其特征在于,所述方法包括:

将输入的残差块数据按列存储到不同的第一存储单元中;

每从各个第一存储单元并行读出一行残差块数据进行行变换后,按照预设的对角读写规则将行变换后数据中的各个数据写入不同的第二存储单元;

按照所述对角读写规则每从各个第二存储单元并行读出一列行变换后数据进行列变换后,将得到的一列变换系数中的各个变换系数分别存储到不同的第三存储单元中,以用于后续量化模块每次从各个第三存储单元并行读出一列变换系数进行量化操作。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将输入的残差块数据按列存储到不同的第一存储单元中,包括:

根据所述残差块数据的高度,将第一存储器划分为多个深度为所述高度的第一存储单元,所述第一存储单元的数量与残差块数据的宽度相等;

将所述残差块数据按列存储到各个第一存储单元;

其中,分属在不同第一存储单元的数据能够在同一周期内并行读取到。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述每从各个第一存储单元并行读出一行残差块数据进行行变换后,按照预设的对角读写规则将行变换后数据中的各个数据写入不同的第二存储单元,包括:

采用第一流水线策略,从各个第一存储单元并行读出一行残差块数据进行行变换后,按照预设的对角读写规则将行变换后数据中的各个数据写入不同的第二存储单元;

其中,所述第一流水线策略为在对上一行残差块数据进行行变换过程中,再从各个第一存储单元并行读出下一行残差块数据。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在按照预设的对角读写规则将行变换后数据中的各个数据写入不同的第二存储单元之前,所述方法包括:

根据所述残差块数据的高度和宽度确定所需要的存储区域大小;

基于所述存储区域大小从预设的中间转置存储结构中选取多个第二存储单元。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述按照所述对角读写规则每从各个第二存储单元并行读出一列行变换后数据进行列变换后,将得到的一列变换系数中的各个变换系数分别存储到不同的第三存储单元中,包括:

采用第二流水线策略,按照所述对角读写规则从各个第二存储单元并行读出一列行变换后数据进行列变换后,将得到的一列变换系数中的各个变换系数分别存储到不同的第三存储单元中;

其中,所述第二流水线策略为在对上一列行变换后数据进行列变换过程中,再从各个第二存储单元并行读出下一列行变换后数据。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述按照所述对角读写规则每从各个第二存储单元并行读出一列行变换后数据进行列变换,包括:

按照所述对角读写规则每从各个第二存储单元并行读出一列行变换后数据;

根据该列行变换后数据在第二存储单元中的深度位置,对该列行变换后数据向预设方向循环移位;

对经过移位的该列行变换后数据进行列变换。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在将得到的一列变换系数中的各个变换系数分别存储到不同的第三存储单元中之前,所述方法还包括:

根据所述残差块数据的宽度,将第二存储器划分为多个深度为所述宽度的第三存储单元,所述第三存储单元的数量与残差块数据的高度相等;

其中,分属在不同第三存储单元的数据能够在同一周期内并行读取到。

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