[发明专利]一种原位监测半导体材料成膜和结晶的监测装置及使用方法

权利要求书

1.一种原位监测半导体材料成膜和结晶的监测装置，其特征在于，包括旋涂仪(3)和膜厚仪(4)，所述旋涂仪(3)和膜厚仪(4)之间透过透射光纤(1)和反射光纤(2)连接；

所述旋涂仪(3)包括样品架(13)，样品架(13)上设置有旋转移动头(12)，旋转移动头(12)的前端设置有透镜(11)，透镜(11)和投射光纤(1)连接；所述样品架(13)上设置有用于放置样品的托盘(7)，反射光纤(2)在托盘(7)的下方；所述托盘(7)上放置有基底。

2.一种权利要求1所述监测装置的使用方法，其特征在于，用于测量膜厚，包括以下步骤：

步骤1，将透射光纤(1)连接至膜厚仪(4)中反射路径的光纤，选择FILM测试软件；

步骤2，输入待测样品的基底材料类型及反射率、薄膜材料类型及反射率；

步骤3，根据基底材料类型和薄膜材料类型选择膜厚仪(4)测量的测量参数；

步骤4，基底放置在托盘(7)上，点击膜厚仪(4)的连续测量操作，同时旋涂仪(3)开始旋涂，测量过程中每隔设定时间采集依次反射光谱，当由反射光谱获得实际测量曲线和拟合曲线一致时，获得原位膜厚数据。

3.根据权利要求2所述的使用方法，其特征在于，步骤1中，膜厚仪(4)使用前光源进行预热；步骤2中，根据待测样品从下到上的材料顺序选择测试方法。

4.根据权利要求2所述的使用方法，其特征在于，步骤2中，所述测量参数包括波段范围、拟合方法和误差指数；所述测量波段范围为300-1200nm，拟合方法为傅里叶拟合。

5.根据权利要求2所述的使用方法，其特征在于，步骤4中，测量过程中所述设定时间为0.3s，所述测量曲线的横坐标为波长，纵坐标为反射率。

6.根据权利要求2所述的使用方法，其特征在于，步骤4中，保存每一个原位膜厚数据为txt格式，分析并实时检测数据。

7.一种权利要求1所述监测装置的使用方法，其特征在于，用于测量原位紫外吸收光谱，包括以下步骤：

步骤1，将透射光纤(1)连接至膜厚仪(4)中透射模式的光纤，确定测试软件；

步骤2，选择膜厚仪(4)中透射模式；

步骤3，基底放置在托盘(7)上，点击膜厚仪(4)的连续测量操作，同时旋涂仪(3)开始旋涂，测量过程中每隔设定时间采集依次透射光谱，当由反射光谱获得实际测量曲线和拟合曲线一致时，获得原位紫外吸收数据。

8.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，步骤1中，膜厚仪(4)使用前光源进行预热，所述测试软件中为FILM测试软件。

9.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，步骤3中，设定时间为0.3s，所述测量曲线的横坐标为波长，纵坐标为透射率。

10.根据权利要求7所述的使用方法，其特征在于，步骤4中，保存每一个原位膜厚数据为txt格式，分析并实时检测数据。