[发明专利]表面声波器件在审
申请号: | 202110680257.6 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113852358A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 松仓徳丞 | 申请(专利权)人: | NDK声表滤波器股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王蕊;臧建明 |
地址: | 日本北海道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 声波 器件 | ||
本发明提供一种表面声波器件,可在表面声波器件中抑制由温度变化产生的应力引起的断线。以包围设置于压电基板的表面上的IDT(叉指换能器)的方式设置壁部,并且以堵塞包围IDT的区域的方式设置顶板部。进而,在压电基板的一面上设置从与IDT连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部的引出电极,并设置电极配线,所述电极配线通过在壁部的外部的引出电极上层叠而与所述引出电极电连接,并引绕至所述顶板部的上表面上。而且,在设置覆盖顶板部的上表面的保护膜时,在保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下,所述保护膜是避开在所述引出电极上层叠有所述电极配线的区域而设置。
技术领域
本发明涉及一种包括叉指换能器(Inter Digital Transducer,IDT)的表面声波器件。
背景技术
近年来,移动电话等通信设备的小型化正在急速发展。随着此种设备的小型化,要求作为其构成零件的例如表面声波器件(surface acoustic wave device,SAW器件)等电子零件的小型化。
作为将表面声波器件小型化的结构,已知有晶片级芯片尺寸封装(Wafer Level-Chip Size Packaging,WL-CSP)型的结构。WL-CSP型的表面声波器件为以下结构:例如如专利文献1所记载那样在压电基板的表面设置梳齿电极,并在梳齿电极的周围设置外围壁层及天花板而形成中空结构,以形成梳齿电极的工作空间。而且,记载了以下结构:将与梳齿电极连接的引出配线引出至压电基板的外缘,进而设置将所述引出配线与设置于天花板的上表面上的安装端子加以连接的侧面配线。另外,在专利文献2中记载了以下结构:在利用元件罩包围梳形电极的周围,并在罩构件的外表面设置了与梳形电极电连接的第一电极的弹性波装置中,以覆盖罩构件及第一电极的方式设置了环氧系的密封树脂。
近年来,要求提高声波器件的动作的可靠性,对产品进行的冲击试验变得严格。因此,要求制作更结实且可靠性高的表面声波器件的技术。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2016-66989号公报
[专利文献2]日本专利特开2015-39209号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
本发明是在此种情况下完成,其在表面声波器件中抑制由温度变化所施加的应力的影响。
[解决问题的技术手段]
本发明的表面声波器件包括:IDT,设置于压电基板的一面上;
壁部,设置于所述压电基板上,并包围配置有所述IDT的区域;
顶板部,堵塞被所述壁部包围的区域的开口;
引出电极,设置于所述压电基板的一面上,且设置为从与所述IDT连接的位置引出至被所述壁部包围的区域的外部;
电极配线,通过在引出至所述壁部的外部的部分的所述引出电极上层叠而与所述引出电极电连接,并经由所述壁部的侧面引绕至所述顶板部的上表面上;以及
保护膜,以至少覆盖所述顶板部的上表面的方式设置,且
在所述保护膜以覆盖比所述顶板部的上表面宽的区域的方式设置的情况下,所述保护膜是避开在所述引出电极上层叠有所述电极配线的区域而设置。
[发明的效果]
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