[发明专利]一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种压控型发射极关断晶闸管，包括双阴极结构的MOS栅控晶闸管(MCT)、外部二极管和外部NMOS管，其特征在于，双阴极结构的MOS栅控晶闸管包括自底向上依次层叠设置的阳极(11)、P型阳极区(10)、N型漂移区(1)；在N型漂移区(1)上层一侧具有P型阱区(4)，P型阱区(4)上层具有N型阱区(5)，N型阱区(5)上层具有N型源区(6)；在N型漂移区(1)上表面具有栅氧化层(2)，栅氧化层(2)的下表面与N型漂移区(1)、P型阱区(4)、N型阱区(5)和N型源区(6)接触，栅氧化层(2 )上表面具有多晶硅(3)与栅电极(9)，构成栅极结构；在N型阱区(5)上表面具有第一阴极(81)，第一阴极(81)还与部分N型源区(6)上表面接触；在P型阱区(4)上表面具有第二阴极(82)，第一阴极(81)位于栅电极(9)和第二阴极(82)之间，且栅电极(9)与第一阴极(81)之间被绝缘层(7)隔离，第一阴极(81)与第二阴极(82)之间也被绝缘层(7)隔离；MCT与外部NMOS管和外部二极管的连接方式为：MCT的第一阴极金属(81)连接NMOS管漏极，栅电极(9)与NMOS管栅极连接组成ETO器件的栅极，第二阴极金属(82)连接二极管阳极，二级管阳极与NMOS管源极连接组成ETO器件的阴极，MCT的阳极是ETO器件的阳极。

2.用于如权利要求1所述的双阴极结构的MOS栅控晶闸管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：采用衬底硅片制作结终端，形成N型漂移区(1)；

第二步：在N型漂移区(1)上表面通过热氧生长栅氧化层(2)，在栅氧化层(2)表面淀积多晶硅(3)，并进行刻蚀；

第三步：采用多晶硅自对准技术，在N型漂移区(1)上表面通过离子注入和推结形成P型阱区(4)；

第四步：在P型阱区(4)中注入N型杂质形成N型阱区(5)，且部分N型阱区(5)的上表面与栅氧化层(2)的底部接触；

第五步：在N型阱区(5)中注入P型杂质形成P型源区(6)；

第六步：在器件表面淀积BPSG绝缘层(7)，刻蚀欧姆接触孔，所述绝缘层(7)完全覆盖多晶硅(3)的上表面和侧面；

第七步：在器件正面淀积第一层金属并刻蚀第一层金属，形成第一阴极金属(81)和第二阴极金属(82)，第一阴极(81)的底部与N型阱区(5)上表面和部分P型源区(6)上表面接触，第二阴极金属(82)底部与P型阱区(4)上表面接触；

第八步：在器件表面淀积BPSG绝缘层(7)，刻蚀欧姆接触孔，所述绝缘层(7)完全覆盖第一阴极金属(81)和第二阴极金属(82)的侧面；

第九步：在器件正面淀积第二层金属，形成栅电极(9)，栅电极(9)位于多晶硅(3)的上表面；

第十步：淀积钝化层；

第十一步：对N型漂移区(1)下表面进行减薄、抛光处理，离子注入并进行激活，形成P型阳极区(10)；

第十二步：背金，在P型阳极区(10)底部淀积阳极金属形成阳极(11)。