[发明专利]一种晶圆防护罩的制备方法

说明书

本发明提供一种晶圆防护罩的制备方法，所述制备方法包括：将铝坯料铣削成环状，并进行预车削处理；在200～250℃下进行热处理去除内部应力；进行精密车削处理以及钻孔处理；在所述晶圆防护罩侧壁底部钻孔得到侧孔和/或腰型槽；对所述晶圆防护罩进行抛光处理；清洗后对所述晶圆防护罩外壁进行喷砂处理以及熔射处理。所述制备方法制备得到的晶圆防护罩可以有效吸附靶材掉落的多余薄膜，保护晶圆，同时所述制备方法可以满足精密环件制作中对材料的内部组织结构以及产品表面粗糙度的要求。

技术领域

本发明属于精密零部件制造领域，涉及一种晶圆防护罩的制备方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。

CN109887871A公开了一种晶圆洗边装置其使用方法及一保护罩，涉及半导体技术领域，晶圆洗边装置包括：一旋转装置，用于承载晶圆，并带动晶圆旋转；置于所述旋转装置上的晶圆；一保护罩，所述保护罩包括一曲面，所述曲面从远离所述晶圆的一侧到靠近所述晶圆的一侧向所述晶圆的边缘倾斜；以及一喷嘴，所述喷嘴位于所述曲面的外侧上方，使从所述喷嘴中喷出的反应液喷在所述曲面上，然后流至所述晶圆上，以提高晶圆边缘洗边光滑度，提高洗边宽度稳定性。

CN210040152U公开了一种晶圆片匀蜡机构，包括支架、保护罩、甩蜡组件及滴蜡组件，保护罩固定在支架顶端，保护罩底端具有开口，甩蜡组件对应设置在保护罩下方，甩蜡组件包括升降动力件、升降座、旋转动力件及旋转座，升降动力件与升降座连接并可驱动其升降以进入或脱出保护罩，旋转座、旋转动力件设置在升降座上，旋转动力件与旋转座连接并可驱动其旋转，滴蜡组件对应设置在保护罩一侧，滴蜡组件包括滴蜡器及驱动动力件，驱动动力件与滴蜡器连接并可驱动其水平移动以靠近或远离保护罩中心。该晶圆片匀蜡机构能够在晶圆片表面自动滴蜡、匀蜡，定位准确，保证了晶圆片表面蜡滴的均匀性，从而保证了后续的贴片质量。

发明内容

为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种晶圆防护罩的制备方法，所述制备方法制备得到的晶圆防护罩可以有效吸附靶材掉落的多余薄膜，保护晶圆，同时所述制备方法可以满足精密环件制作中对材料的内部组织结构以及产品表面粗糙度的要求。

为达到上述技术效果，本发明采用以下技术效果：

本发明提供一种晶圆防护罩的制备方法，其所述制备方法包括：

将铝坯料铣削成环状，并进行预车削处理；

在200～250℃下进行热处理去除内部应力；

进行精密车削处理以及钻孔处理；在所述晶圆防护罩侧壁底部钻孔得到侧孔和/或腰型槽；

对所述晶圆防护罩进行抛光处理；

清洗后对所述晶圆防护罩外壁进行喷砂处理以及熔射处理。

作为本发明优选的技术方案，所述铝坯料为铝方板。

作为本发明优选的技术方案，所述热处理的时间为100～150min，如105min、110min、115min、120min、125min、130min、135min、140min或145min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述热处理后进行空冷。