[发明专利]用于提高外延片波长均匀性的石墨基板有效
| 申请号： | 202110739044.6 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113690172B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;梅劲;肖云飞;陆香花;陈张笑雄;艾海平 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L33/00;C23C16/455;C23C16/458;C30B25/12;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提高 外延 波长 均匀 石墨 | ||
1.一种用于提高外延片波长均匀性的石墨基板，其特征在于，所述石墨基板包括多个子基板和连接轴，所述多个子基板呈环形间隔连接在所述连接轴的外周壁上，且所述多个子基板呈涡轮扇叶状布置，每个所述子基板的上表面均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，所述多个子基板上的多个凹槽呈多圈环形布置。
2.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，所述子基板的个数为n，n＝m+2，m表示所述多个子基板上的多个凹槽的圈数。
3.根据权利要求2所述的石墨基板，其特征在于，4≤n≤10。
4.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，每个所述子基板的径向长度均为350～900nm。
5.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，每个所述子基板的厚度均为10～50nm。
6.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，从所述子基板的靠近所述连接轴的一端至所述子基板的远离所述连接轴的一端，每个所述子基板内的所述凹槽的个数逐渐增多。
7.根据权利要求1所述的石墨基板，其特征在于，所述连接轴为直径为10～20mm的圆柱。
8.根据权利要求7所述的石墨基板，其特征在于，所述连接轴的轴向长度为5～50mm。
9.根据权利要求1至8任一项所述的石墨基板，其特征在于，所述多个子基板和所述连接轴为一体成型结构。
10.根据权利要求9所述的石墨基板，其特征在于，所述多个子基板和所述连接轴均由石墨基材制成，且所述多个子基板的上表面均镀有碳化硅涂层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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