[发明专利]微型发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管外延片，所述微型发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层，其特征在于，

所述发光二极管芯片还包括位于所述N型波导层和所述多量子阱层之间的调制层，所述调制层为掺氧和碳的氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述调制层中氧的含量不超过5*10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述调制层中碳的含量为1*10¹⁷cm^-3～5*10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述调制层的厚度为10～50nm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述N型波导层的与所述调制层接触的一面上具有网格状沟槽，所述网格状沟槽包括布置在所述N型波导层的表面的多条沟槽，所述多条沟槽将所述N型波导层的表面分为呈矩阵布置的多个网格，每个所述网格的尺寸均为10*10um～50*50um。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，每条所述沟槽的宽度均为0.5～20um。

7.根据权利要求1至4任一项所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，所述多个阱层中最靠近所述N型波导层的两个阱层为第一阱层和第二阱层，所述第一阱层位于所述第二阱层和所述N型波导层之间；

所述第一阱层和所述第二阱层的结构相同，所述第一阱层包括第一子层、间断层和第二子层，所述间断层中的In含量小于所述第一子层和所述第二子层中的In含量，所述第一子层的厚度大于所述间断层的厚度，所述间断层的厚度大于所述第二子层的厚度。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱层还包括第一垒层和第二垒层，所述第一垒层位于所述第一阱层上，所述第二垒层位于所述第二阱层上，且所述第二阱层位于所述第一垒层和所述第二垒层之间；

所述第一垒层和所述第二垒层的V/III比为M1，所述多量子阱层中除所述第一垒层和所述第二垒层之外的其它所述垒层的V/III比为M2，M1＝(100％+k)*M2，15％≤k≤40％。

9.一种微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型波导层；

在所述N型波导层上生长调制层，所述调制层为掺氧和碳的氮化镓层；

在所述调制层上依次生长多量子阱层、P型波导层和电极接触层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述N型波导层上生长调制层，包括：

控制反应室内温度为750℃～950℃，压力为100torr～400orr，在所述N型波导层上生长所述调制层。