[发明专利]位置测量装置及测量方法在审

专利信息
申请号: 202110755828.8 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN114188236A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 高桑真歩 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 位置 测量 装置 测量方法
【说明书】:

实施方式提供一种对衬底上形成的电路图案的位置进行测量的位置测量装置及测量方法。实施方式的位置测量装置具备衬底保持部、投影部、液体供给部、位置测定部、摄像部、位置测定部及控制部。衬底保持部能够保持包含电路图案的至少一部分的衬底。投影部对保持在衬底保持部的衬底照射照明光,使照射到衬底的照明光的来自衬底的反射光透过。液体供给部能够向保持在衬底保持部的衬底与投影部之间的空间供给液体。摄像部供透过投影部的反射光入射,产生基于反射光的图像信号。位置测定部获取与衬底保持部的位置相关的位置信息。控制部基于位置信息及图像信号,决定衬底内的至少一部分电路图案的坐标位置。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-154266号(申请日:2020年9月15日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种位置测量装置及测量方法。

背景技术

半导体装置的制造工序之一包含光刻工序。在该工序中,必须高精度地进行作为蚀刻对象的衬底与光罩(也称为原板)的位置对准。例如在具有三维构造的半导体存储装置中,在衬底中的一个芯片内所形成的多个区域中,由于主要构成材料不同或距离衬底的高度不同,而会有应力作用在芯片内,例如存储单元区域与周边电路区域之间有时会发生位置偏移。这种情况下,为了高精度地进行光罩相对于衬底的位置对准,必须校正由应变引起的位置偏移。为此,首先是要求高精度地进行位置测量。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供一种对衬底上形成的电路图案的位置进行测量的位置测量装置及测量方法。

实施方式的位置测量装置具备衬底保持部、投影部、液体供给部、位置测定部、摄像部、位置测定部及控制部。衬底保持部能够保持包含电路图案的至少一部分的衬底。投影部对保持在衬底保持部的衬底照射照明光,使照射到衬底的照明光的来自衬底的反射光透过。液体供给部能够对保持在衬底保持部的衬底与投影部之间的空间供给液体。摄像部供透过投影部的反射光入射,产生基于反射光的图像信号。位置测定部获取与衬底保持部的位置相关的位置信息。控制部基于位置信息与图像信号,决定衬底内的至少一部分电路图案的坐标位置。

附图说明

图1是表示实施方式的位置测量装置的框图。

图2是示意地表示实施方式的位置测量装置的构成的图。

图3是示意地表示衬底平台的俯视图。

图4是示意地表示实施方式的位置测量装置的喷射喷嘴、及抽吸从喷射喷嘴喷射的气体的抽吸喷嘴的图。

图5(A)、(B)是说明实施方式的位置测量装置的投影部的间歇性移动的说明图。

具体实施方式

以下,参照附图对本发明的非限定性例示的实施方式进行说明。在所有附图中,对相同或对应的部件或零件标注相同或对应的参照符号,省略重复的说明。另外,附图是为了示出部件或零件间的尺寸之间的相对比,因此,具体尺寸应参照以下的非限定性实施方式,由本领域技术人员决定。

参照图1至图3,说明实施方式的位置测量装置。图1是表示实施方式的位置测量装置的框图,图2是示意地表示图1的位置测量装置的构成的图,图3是示意地表示衬底平台的俯视图。如图1所示,位置测量装置1具有图像检测系统10、位置控制系统20及控制部30。此外,本实施方式中,将作为位置测量对象的衬底设为由硅等半导体形成的半导体晶圆。以下,简称为晶圆W。

(图像检测系统)

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