[发明专利]一种宽波段完美吸收的多层结构在审
| 申请号： | 202110759244.8 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113568077A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 孟彦龙;吴敬昊;刘思梦 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H02S10/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波段 完美 吸收 多层 结构 | ||
1.一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于该结构由十字形纳米柱结构和基底、绝缘层1、金属层2、绝缘层3、金属层4、绝缘层5组成组成，其中十字形纳米柱阵列小单元由多种具有不同尺寸的十字形纳米柱组合构成。
2.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构其十字形纳米柱的材料为Al,Cr,Ti,Mo,Ta中的一种。
3.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构其十字形纳米柱阵列小单元中的十字形纳米柱高度分别为H1、H2,……,HN，且100nm≤HN≤300nm
4.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构其十字形纳米柱阵列小单元的周期长为PX,宽度为Py,且50nm≤PX≤100nm,40nm≤Py≤110nm。
5.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于所述的绝缘层1为SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2材料中的一种，其厚度在100nm～200nm之间。
6.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于所述的金属层2为Al,Cr,Ti,Ni,Au,Ag,Cu,Pt中的一种，其厚度在10nm～20nm之间。
7.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于所述的绝缘层3为SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2材料中的一种，其厚度在100nm～200nm之间。
8.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于所述的金属层4为Al,Cr,Ti,Ni,Au,Ag,Cu,Pt中的一种，其厚度在10nm ～20nm之间。
9.根据权力要求1所述的一种具有宽波段完美吸收的多层结构，其特征在于所述的绝缘层5为SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2材料中的一种，其厚度在100nm～200nm之间。
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