[发明专利]一种功率驱动器有效

专利信息
申请号: 202110763311.3 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN113433998B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 刘伟峰;张旭阳;张丽;汤华莲;吴勇 申请(专利权)人: 西安电子科技大学芜湖研究院
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 代理人: 刘喜保
地址: 241000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 驱动器
【权利要求书】:

1.一种功率驱动器,其特征在于,包括:驱动电路和自举电路;

所述自举电路包括MOS管M5,所述MOS管M5的源极和栅极均由外部电源VM供电,所述MOS管M5的漏极接所述驱动电路中自举电容Cb的高压端;

所述自举电路还包括:MOS管M6和M7,所述MOS管M6的漏极由所述外部电源VM供电,所述MOS管M6的栅极接内部电源VDD,所述MOS管M6的源极接所述MOS管M7的栅极;

所述MOS管M7的源极与所述MOS管M5的源极连接。

2.根据权利要求1所述的一种功率驱动器,其特征在于,所述自举电路还包括:MOS管M8和M9,所述MOS管M8的漏极接所述MOS管M7的漏极,所述MOS管M8的源极接地,所述MOS管M9的漏极接所述MOS管M6的源极,所述MOS管M9的源极接地,所述MOS管M8和M9的栅极均接电源Vb2。

3.根据权利要求1所述的一种功率驱动器,其特征在于,所述自举电路还包括:MOS管M3和M4,所述MOS管M3的源极接所述外部电源VM,所述MOS管M3的漏极接所述MOS管M5的源极,所述MOS管M4的源极接所述外部电源VM,所述MOS管M4的漏极接所述MOS管M6的漏极,所述MOS管M3和M4的栅极均接电源Vb1。

4.根据权利要求1所述的一种功率驱动器,其特征在于,所述MOS管M5为NLDMOS器件。

5.根据权利要求1所述的一种功率驱动器,其特征在于,所述驱动电路包括:高侧驱动电路和低侧驱动电路;

所述高侧驱动电路的输入端输入高侧开关信号,所述高侧驱动电路的两个电源端分别接所述自举电容Cb的高压端和低压端;

所述低侧驱动电路的输入端输入低侧开关信号,所述低侧驱动电路的两个电源端分别接内部电源VDD和接地。

6.根据权利要求5所述的一种功率驱动器,其特征在于,所述高侧驱动电路的输出端接高侧功率管M1的栅极,所述高侧功率管M1的漏极接所述外部电源VM,所述高侧功率管M1的源极接所述自举电容Cb的低压端;

所述低侧驱动电路的输出端接低侧功率管M2的栅极,所述低侧功率管M2的漏极接所述自举电容Cb的低压端,所述低侧功率管M2的源极接地。

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