[发明专利]一种RC振荡器及其温度补偿方法在审
申请号: | 202110769406.6 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113422578A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 熊振华 | 申请(专利权)人: | 思澈科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 卢胜斌 |
地址: | 201210 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 rc 振荡器 及其 温度 补偿 方法 | ||
本发明涉及集成电路领域,具体涉及一种RC振荡器及其温度补偿方法;所述RC振荡器包括充电电路,由充电开关控制对充放电容充电;放电电路,由放电开关控制对充放电容放电;充放电容,向比较器输出电压;比较器,将输出电压与阈值电压进行比较,输出高电平电压或低电平电压;高电平电压控制充电开关断开,放电开关打开;低电平电压控制充电开关打开,放电开关断开;充放电容包括控制电容和电容值可选的MOS电容阵列;本发明利用负温度系数的MOS电容来对正温度系数的比较器进行温漂补偿,减小了RC振荡器的温度漂移;设计了数字控制字来选择某个MOS电容值,能够快速且准确地补偿比较器延时的温度漂移带来的频率变化。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,涉及低温漂RC振荡器的温度补偿技术,具体涉及一种RC振荡器及其温度补偿方法。
背景技术
对于通信以及控制芯片,某些状态下需要一个低温漂的时钟,传统的晶体振荡器虽然温漂系数低,但需要片外元件,而且功耗较高,尤其在低功耗设计要求下,无法满足需求,低温漂的RC振荡器特别适合这类场景。RC振荡器由电容、电阻、比较器以及开关组成,构成一个延时环路。电源电压通过电阻和开关对电容充电,电容上的电压上升,当超过比较器的阈值电压后,比较器输出一个高电平电压,用这个电压去关断电容的充电开关,打开电容的放电开关,电容上的电压下降,当低于比较器的阈值电压后,比较器输出低电平电压,从而电容的充电开关打开,放电开关断开。如此反复,产生振荡信号。
振荡器中的电容、电阻以及比较器除了和工艺角有关,还和温度有关。采用MOM电容和POLY电阻,它们的温度系数很小,所以振荡器的温漂主要来自比较器。如果振荡器频率较高,比较器延时占比较大,将会导致比较器的温漂大比例系数转移到振荡器的温漂,从而影响实际使用。
发明内容
针对上述振荡器温漂较大的情况,考虑到比较器延时的温度特性是单调的,且是正温度系数,而MOS电容是负温度系数,所以本发明用MOS电容做为充放电电容的一部分,从而补偿比较器延时的温漂,实现一个低温漂的RC振荡器。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种RC振荡器及其温度补偿方法来实现RC振荡器的补偿,降低了RC振荡器的温漂,提高了RC振荡器的精确度。
在本发明的第一方面,本发明的目的之一在于提供一种温漂较小的RC振荡器,一种RC振荡器,包括:
充电电路,由充电开关控制对充放电容充电;
放电电路,由放电开关控制对充放电容放电;
充放电容,向比较器输出电压;
比较器,将输出电压与阈值电压进行比较,输出高电平电压或低电平电压;
所述高电平电压控制充电开关断开,放电开关打开;所述低电平电压控制充电开关打开,放电开关断开;
其中,所述充放电容包括控制电容和电容值可选的MOS电容阵列,所述MOS电容阵列和所述控制电容并联。
优选的,所述MOS电容阵列包括阵列排布的控制开关和阵列排布的MOS电容;每个控制开关连接一个MOS电容;且所有的控制开关由数字控制字控制与所述阵列MOS电容之间的连接,即每个控制开关至少关联一个MOS电容,通过数字控制字来判定该控制开关是否连接该MOS电容。
优选的,所述充电开关与所述比较器的输出端之间还包括反相器;通过设置反相器,保证所述充电开关在低电平电压下能够打开,在高电平电压下能够断开。
优选的,所述RC振荡器还包括缓冲器,所述缓冲器连接所述比较器的输出端,用于输出所述RC振荡器的输出结果;所述缓冲器可以将RC振荡器与外界电路隔离或分离开;可以轻松解决负载效应问题。
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