[发明专利]基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构，其特征在于：包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆上设有第一芯片，所述第一芯片的最上层的金属连线层设有M个第一键合Pad；所述第二晶圆上设有第二芯片，所述第二芯片的最上层的金属连线层设有M个第二键合Pad；所述第一芯片与所述第二芯片键合，当所述第一芯片与所述第二芯片键合后，所述M个第一键合Pad与所述M个第二键合Pad一一电性连接；所述第一芯片的钨通孔层设有接触Pad；所述第一芯片和第二芯片在所述接触Pad的上方设有硅通孔，所述硅通孔内填充有金属，所述金属与所述接触Pad电连接；所述第二芯片衬底上设有离子层，所述离子层与所述第二芯片中的FDSOI晶体管对应设置，所述离子层上开设有背偏压通孔，所述背偏压通孔内填充有金属。

2.根据权利要求1所述的基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构，其特征在于：所述M个第一键合Pad在所述第一芯片的最上层的金属连线层均匀分布，所述M个第二键合Pad在所述第二芯片的最上层的金属连线层均匀分布。

3.根据权利要求1所述的基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构，其特征在于：所述第二晶圆在所述离子层的上方设有交互层，所述交互层内设有第一金属连接线路和第二金属连接线路，所述第一金属连接线路与所述硅通孔内的金属电连接，所述第二金属连接线路与所述背偏压通孔内的金属电连接。

4.基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在第一晶圆上制作第一芯片，在第一芯片的最上层的金属连线层制作M个第一键合Pad，M为正整数，在第一芯片的钨通孔层制作接触Pad；

S2：在第二晶圆上制作第二芯片，在第二芯片的最上层的金属连线层制作M个第二键合Pad;

S3：将第一芯片与第二芯片键合，使第一芯片上的M个第一键合Pad与第二芯片上的M个第二键合Pad一一电连接；

S4：先在第二晶圆上将第二芯片的衬底进行减薄，然后在第二芯片的衬底上进行离子注入形成离子层，所述离子层与第二芯片上的FDSOI晶体管对应设置；

S5：在所述离子层上蚀刻背偏压通孔，在背偏压通孔中填充金属；

S6：在所述接触Pad的上方蚀刻硅通孔，在所述硅通孔中填充金属，所述硅通孔中的金属与所述接触PAD电连接；

S7：在第二芯片的衬底上方制作交互层，在交互层内制作第一金属连接线路和第二金属连接线路，所述第一金属连接线路与所述硅通孔中的金属电连接，所述第二金属连接线路与所述背偏压通孔中的金属电连接。

5.根据权利要求4所述的基于FDSOI的背偏压控制的芯片结构的制造方法，其特征在于，所述M个第一键合Pad在所述第一芯片的最上层的金属连线层上均匀分布，所述M个第二键合Pad在所述第二芯片的最上层的金属连线层均匀分布。