[发明专利]一种3D结构陶瓷基板的制备方法

权利要求书

1.一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，真空烧结：在陶瓷基板的表面丝印一层活性金属焊料或者在陶瓷基板和金属片间放置活性金属焊片，将金属片覆盖于所述活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；

步骤二，金属片蚀刻-沟槽蚀刻成型：

依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；

步骤三，金属片蚀刻-第一金属层蚀刻成型：在金属片上油墨印刷或喷涂第一金属层图案，蚀刻，在金属片上形成第一金属层；

步骤四，金属片蚀刻-第二金属层蚀刻成型：在金属片上油墨印刷或喷涂第二金属层图案，蚀刻，在金属片上形成第二金属层；

步骤五，金属片蚀刻-第三金属层蚀刻成型：在第二金属层上油墨印刷或喷涂第三金属层图案、蚀刻、退膜，在金属片上形成第三金属层；

步骤六，焊料蚀刻：蚀刻沟槽位置的焊料层。

2.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述真空烧结的温度控制在700℃-940℃，真空度小于0.01Pa，烧结时间60min-540min。

3.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，贴膜为贴干膜。

4.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤二中的，曝光是在黄光环境中，用波长为200-400nm的紫外线垂直照射，曝光能量为25-60J/cm²。

5.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于，步骤二中的，使用碱性溶液进行显影，显影温度为28-32℃，显影时间为60-150s；所述碱性溶液为碳酸钠或碳酸钾溶液，碱性溶液的质量百分比浓度为0.5-1.5％。

6.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于，步骤二中的，使用双氧水、氯酸钠混合溶液进行蚀刻，蚀刻温度为20-30℃，蚀刻时间为3-10min；控制溶液酸当量为1.5-2.5N。

7.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，退膜采用2％-5％NaOH水溶液，温度50-60℃，浸泡时间为1-10min。

8.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤三中，油墨为感光抗酸蚀刻油墨，采用丝网印刷时，网版目数为200-300目。

9.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤三中，退膜采用2％-5％NaOH水溶液，温度50-60℃，浸泡时间为1-10min。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述3D结构陶瓷基板，包括上下设置的上金属层以及所述瓷片；

所述上金属层是由金属片途径步骤一、步骤二、步骤三、步骤四、步骤五以及步骤六形成的3D结构的上金属层；

所述上金属层包括不同厚度的第一金属部位、第二金属部位以及第三金属部位，所述第一金属部位、第二金属部位以及所述第三金属部位厚度递减；

所述第三金属部位位于所述瓷片中央区域，所述第三金属部位为用于焊接芯片的芯片焊接部位；

所述第二金属部位位于所述第三金属部位外围，所述第二金属部位与所述第三金属部位之间存有沟槽间隙，所述第二金属部位用于导线焊接或者引线键合；

所述第一金属部位位于所述瓷片的外边缘，所述第一金属部位用于芯片封装的外层。