[发明专利]一种磷化铟晶片的腐蚀方法

权利要求书

1.一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法将晶片进行预清洗后，进行了两次腐蚀，两次腐蚀分别采用一次腐蚀液和二次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理，所述一次腐蚀液的原料包括双氧水、硫酸、柠檬酸、冰醋酸。

2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述一次腐蚀液包括以下体积百分比的组分：70％-77％双氧水、5％-10％硫酸、3％-20％柠檬酸、5％-10％冰醋酸。

3.根据权利要求2所述的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述一次腐蚀液包括第一腐蚀液和第二腐蚀液，所述第一腐蚀液中硫酸的体积百分比为8％-10％，第二腐蚀液中硫酸的体积百分比为5-7％。

4.根据权利要求3所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，利用所述一次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理的具体操作为：将晶片浸没于第一腐蚀液中，顺时针旋转晶片90°后，逆时针旋转45°，循环重复30s后将晶片取出于第二腐蚀液中浸泡30-60s。

5.根据权利要求4所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述二次腐蚀液包括以下体积百分比的组分：5％-10％硫酸、70％-85％双氧水、10％-20％浓盐酸。

6.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法具体包括以下步骤：

预清洗：将研磨后的晶片用水枪冲洗完成后，先后经过酒精浸泡、金属清洗剂清洗；

一次腐蚀液腐蚀：按照配方分别配制好第一腐蚀液和第二腐蚀液，将预清洗完成的晶片浸没于第一腐蚀液中，顺时针旋转晶片90°后，逆时针旋转45°，循环重复30s后将晶片取出于第二腐蚀液中浸泡30-60s，重复2-5次；

二次腐蚀液腐蚀：按照配方配制好二次腐蚀液，将经过一次腐蚀液腐蚀的晶片浸没于二次腐蚀液中，旋转晶片，浸泡腐蚀5-10s；

碱洗：将二次腐蚀液腐蚀完成的晶片捞出用去离子水浸泡清洗干净后，于碱性清洗剂中浸泡1-2min；

脱水、烘干：碱洗完成后将晶片捞出浸没于无水乙醇中，超声清洗2-3min后，将晶片浸泡于另一干净的无水乙醇中，最后捞出于烘干槽中烘干。

7.根据权利要求6所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述预清洗具体为：

冲洗：利用水枪对研磨后的晶片的表面进行冲洗；

酒精浸泡：冲洗完成后，将晶片浸泡于酒精中，使用超声清洗2-3min，然后用去离子水冲洗干净；

金属清洗剂清洗：配制好金属清洗剂溶液，加热升温至80-85℃，将晶片放入金属清洗剂溶液中，超声清洗5-10min，清洗完成后用去离子水将晶片表面冲洗干净。

8.根据权利要求7所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述金属清洗剂溶液中包括金属清洗剂6％-10％，去离子水90％-94％。

9.根据权利要求8所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述碱性清洗剂包括以下质量百分比的组分：10％-16.7％碳酸钠、2％-5％氢氧化钠、78.3％-88％水。

10.根据权利要求7所述的一种晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述碱洗步骤具体操作为：将晶片浸没于碱性清洗剂中，先将晶片顺时针旋转3周，然后逆时针旋转3周，循环至清洗时间结束。