[发明专利]一种降温制品及全太阳光谱高反射面料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110780815.6 申请日: 2021-07-09
公开(公告)号: CN115593062A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 陶光明;曾少宁 申请(专利权)人: 武汉格物感知信息科技有限公司
主分类号: B32B27/36 分类号: B32B27/36;B32B27/32;B32B27/06;B32B27/08;B32B27/12;B32B27/18;B32B7/14;B32B7/12;A41D13/11;A41D31/02;A41D31/04;A41D31/10;A41D31/24;A41D31/32
代理公司: 北京彩和律师事务所 11688 代理人: 闫桑田;郎雨
地址: 430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区韩杨*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 降温 制品 太阳 光谱 反射 面料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种降温制品,其特征在于,

其包括由多根微纳米纤维缠绕交织形成的具有微纳米孔隙的全太阳光谱高反射膜以及基底材料;所述微纳米纤维之间通过微纳米球连接;

其中所述全太阳光谱高反射膜中的直径为10nm~10μm的微纳米球和直径为10nm~10μm的微纳米孔隙的总体积占所述全太阳光谱高反射膜的体积的10%~90%,优选为50%~90%,更优选为70%~90%;

优选地,所述全太阳光谱高反射膜中的直径为50nm~5μm的微纳米球和直径为50nm~5μm的微纳米孔隙的总体积占所述全太阳光谱高反射膜的体积的10%~90%,优选为50%~90%,更优选为70%~90%;

优选地,所述全太阳光谱高反射膜中的直径为100nm~1000nm的微纳米球和直径为100nm~1000nm的微纳米孔隙的总体积占所述全太阳光谱高反射膜的体积的10%~90%,优选为50%~90%,更优选为70%~90%。

2.根据权利要求1所述的降温制品,其特征在于,所述全太阳光谱高反射膜的厚度为10μm~200μm,优选为20μm~100μm,更优选为40μm~60μm。

3.根据权利要求1或2所述的降温制品,其特征在于,所述微纳米纤维和微纳米球的材料选自如下一种或两种以上:聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨基甲酸酯(PU)、聚乙二醚(PEO)、聚乙烯(PE)和聚酰胺(PA);

优选地,所述微纳米纤维和微纳米球的材料为聚四氟乙烯(PTFE)或聚氨基甲酸酯(PU)。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的降温制品,其特征在于,其为全太阳光谱高反射面料,其中所述基底材料为制冷基布;

优选地,所述制冷基布为选自针织结构、机织结构或无纺布结构的织物。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的降温制品,其特征在于,其为户外纺织品,其中所述基底材料为无纺布结构的织物;

优选地,所述户外纺织品为口罩。

6.根据权利要求4或5所述的降温制品,其特征在于,所述织物包括降温纤维,所述降温纤维包括无机微纳米颗粒和聚合物基底;

优选地,所述织物由降温纤维形成,所述降温纤维由无机微纳米颗粒和聚合物基底形成。

7.根据权利要求6所述的降温制品,其特征在于,所述无机微纳米颗粒选自如下一种或两种以上:二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)、硫化锌(ZnS)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硫酸钡(BaSO4)、碳酸钡(BaCO3)和硅酸铝(Al2SiO5);

优选地,所述无机微纳米颗粒粒径为0.1μm~25μm,优选为0.3μm~5μm,更优选为0.4μm~1.2μm;

优选地,所述无机微纳米颗粒为二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnO);

优选地,所述聚合物基底的材料包括如下一种或两种以上:聚乳酸(PLA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯醇(PVA)、聚氨酯(PU)、聚丙烯腈(PAN)、纤维素、壳聚糖、聚对苯二甲酰对苯二胺和聚对苯甲酰胺中的一种或两种以上;

优选地,所述聚合物基底的材料为聚乳酸(PLA)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

8.一种全太阳光谱高反射面料的制备方法,其特征在于,其包括下述步骤:

制备制冷基布;

制备全太阳光谱高反射膜;

将所述全太阳光谱高反射膜复合在所述制冷基布上,得到所述全太阳光谱高反射面料。

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