[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底(100)表面形成隔绝层(200)；

在所述隔绝层(200)形成凹槽(300)，所述凹槽(300)贯穿所述隔绝层(200)；

在所述凹槽(300)内和所述隔绝层(200)上形成保护层(400)；

在所述保护层(400)上形成介质层(500)；

形成接触孔(600)，所述接触孔(600)分别贯穿所述保护层(400)和所述介质层(500)至所述衬底(100)表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，还包括：

在所述接触孔(600)内形成导电栓塞材料(700)；

在所述导电栓塞材料(700)上和所述介质层(500)上形成金属导电层(800)。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，

所述隔绝层(200)的厚度为20-50nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，

所述保护层(400)的厚度大于200nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，

所述在所述凹槽(300)内和所述隔绝层(200)上形成保护层(400)之后，还包括：高温回流。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，

所述形成接触孔(600)之后，还包括：超声波清洗。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其中，所述超声波清洗包括：

使用体积比例为2-8：1的硫酸和双氧水混合液去除残留光刻胶有机物；

使用体积比例为1：1：3-8的氢氧化铵、双氧水和纯水的混合液去除杂质微粒和部分聚合物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，

所述在所述保护层(400)上形成介质层(500)之后，还包括：使用化学机械抛光技术对所述介质层(500)的表面进行打磨。

9.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其中，所述在所述导电栓塞(700)上和所述介质层(500)上形成金属导电层(800)包括：

在所述导电栓塞(700)上和所述介质层(500)上利用物理气相沉积法溅镀铝金属层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其中，所述在所述接触孔(600)内形成导电栓塞(700)包括：

使用物理气相淀积法淀积金属钨薄膜，直至各所述接触孔(600)完全填满金属钨。

11.一种半导体器件，其特征在于，通过采用权利要求1-10任一项所述的制备方法所制备。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底(100)；

在所述衬底(100)表面依次层叠设置的介质层(500)、保护层(400)和隔绝层(200)，所述隔绝层(200)直接覆盖在所述衬底(100)表面；

接触孔(600)，其贯穿所述介质层(500)、所述保护层(400)和隔绝层(200)层，所述隔绝层(200)与所述接触孔(600)的连接处被所述保护层(400)覆盖。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，还包括：

导电栓塞(700)，其填充满所述接触孔(600)。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，还包括：

金属导电层(800)，其设在所述介质层(500)远离所述衬底(100)的表面上，且覆盖所述导电栓塞(700)和所述介质层(500)。