[发明专利]一种大面积钙钛矿发光薄膜及其发光二极管

权利要求书

1.一种大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，所述大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备方法，包括如下制备步骤：

(1)将钙钛矿前驱体溶液使用涂布印刷工艺沉积在基底上，得到均匀的前驱体液膜；

(2)对步骤(1)所得的钙钛矿前驱体液膜进行抽真空处理，得到预结晶的钙钛矿薄膜；

(3)对步骤(2)所得预结晶的钙钛矿薄膜进行加热退火，得到充分结晶的钙钛矿发光薄膜。

步骤(1)中所述钙钛矿材料钙钛矿前驱体溶液中钙钛矿前驱体为A_mB_n-1M_nX_3n+1型钙钛矿，A为一价或二价的大尺寸胺根阳离子；B为CH₃NH₃⁺、HC(NH₂)₂⁺或Cs⁺中的至少一种；M为Pb²⁺或Sn²⁺；X为Cl^-、Br^-或I^-中的至少一种；其中，m为1或2，1≤n≤5。

2.根据权利要求1所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(1)中所述涂布印刷工艺为刮涂法、喷雾涂布、狭缝挤出印刷法或喷墨印刷法中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(1)所述钙钛矿前驱体液膜的沉积在15～35℃的干燥条件下进行。

4.根据权利要求1所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(1)中所述钙钛矿前驱体溶液配置的具体步骤为：将MX和AX₂；按照1：1摩尔比例溶于有机溶剂中配置成AMX₃混合溶液，向AMX₃混合溶液加入BX，配置成不同n值的A_mB_n-1M_nX_3n+1型钙钛矿前驱体溶液，其中，m为1或2，1≤n≤5。

5.根据权利要求1所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(2)中所述真空预结晶处理为以40～230Pa/s的速度将真空度降至10～8000Pa，然后维持0.1～5min进行预结晶，该时间也会受环境温度和溶剂蒸发时间的影响。

6.根据权利要求5所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(2)中所述真空预结晶处理为以100～120Pa/s的速度将真空度降至1000～1200Pa的压强下，然后维持20～30s进行预结晶。

7.根据权利要求1所述的大面积钙钛矿发光薄膜，其特征在于，步骤(3)中所述退火处理为在50～180℃维持0.1～20min。

8.一种含有大面积钙钛矿发光薄膜的发光二极管，其特征在于，从下至上依次包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层以及金属电极，所述钙钛矿发光层为大面积钙钛矿发光薄膜层。

9.根据权利要求8所述的含有大面积钙钛矿发光薄膜的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层材料为NiO_x、PEDOT:PSS或PTAA中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的含有大面积钙钛矿发光薄膜的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层包括TPBi和LiF电子传输层。