[发明专利]紫外线测量方法、计算设备及存储介质

说明书

本申请适用于测量技术领域，提供一种紫外线测量方法、计算设备及存储介质，所述方法包括：测量水溶液中的化学曝光剂受紫外线照射之前的第一吸光度；在紫外发光二极管的发光面朝向所述水溶液时，控制所述紫外发光二极管发出紫外线照射所述水溶液；测量所述化学曝光剂受所述紫外发光二极管发出的紫外线照射之后的第二吸光度；根据所述第一吸光度和所述第二吸光度，获取所述紫外发光二极管的紫外线输出量。本申请的实施例能利用化学曝光剂测量紫外发光二极管的紫外线输出量，无需进行上级朔源。

技术领域

本申请属于测量技术领域，更具体地说，是涉及一种紫外线测量方法、计算设备及存储介质。

背景技术

对于紫外线光源发射了多少紫外线(也即紫外线光源的紫外线输出量)，目前的测量方法与光源的几何形状以及尺寸密切相关。对于传统的长线型汞紫外线灯，测量其紫外线输出量的方法是Keitz公式为基础。但是Keitz公式不适用于紫外发光二极管(简称UV-LED)这样的非长线型的小几何尺寸的光源。目前广泛使用的测量UV-LED的紫外线输出量的方法是积分球法。积分球法是将光源放入积分球，收集积分球内壁的反射光，然后进行测量和计量。积分球法的核心是和标准光源进行对比，进行标定，但是标准光源需要进行上级朔源。

发明内容

本申请的实施例提供一种紫外线测量方法、计算设备及存储介质，无需进行上级朔源。

第一方面，本申请的实施例提供一种紫外线测量方法，所述方法包括：

测量水溶液中的化学曝光剂受紫外线照射之前的第一吸光度；

在紫外发光二极管的发光面朝向所述水溶液时，控制所述紫外发光二极管发出紫外线照射所述水溶液；

测量所述化学曝光剂受所述紫外发光二极管发出的紫外线照射之后的第二吸光度；

根据所述第一吸光度和所述第二吸光度，获取所述紫外发光二极管的紫外线输出量。

可选地，在所述测量所述化学曝光剂受所述紫外发光二极管发出的紫外线照射之后的第二吸光度之前，包括：

使所述水溶液旋转形成漩涡，并使紫外发光二极管位于所述漩涡中。

可选地，所述使紫外发光二极管位于所述漩涡中，包括：

使得所述紫外发光二极管的发光面正对所述水溶液，且使所述发光面位于所述漩涡的顶部边缘与所述漩涡的底部之间。

可选地，所述使所述水溶液旋转形成漩涡，并使紫外发光二极管位于所述漩涡中，包括：

先使所述水溶液旋转形成漩涡，然后将所述紫外发光二极管放置于所述漩涡中。

可选地，所述紫外线输出量的计算公式为：

其中，E为所述紫外发光二极管的紫外线输出量，ΔA₃₅₂为所述第二吸光度与所述第一吸光度之差，所述第一吸光度是所述化学曝光剂受紫外线照射前在352nm波长以及1cm光程的吸光度，所述第二吸光度是所述化学曝光剂受紫外线照射后在352nm波长以及1cm光程的吸光度，V为所述水溶液的有效体积，U_λ为波长是λnm的光子能量，λ为所述紫外发光二极管发出的紫外线的波长，为量子收率，ε₃₅₂为摩尔吸光系数，R为所述紫外发光二极管发出的紫外线射入所述水溶液时的反射系数。

可选地，所述在紫外发光二极管的发光面朝向所述水溶液时，控制所述紫外发光二极管发出紫外线照射所述水溶液，包括：

在所述紫外发光二极管的发光面正对所述水溶液的表面，且所述发光面与所述表面之间的距离使得所述紫外发光二极管发出的紫外线全部照射至所述水溶液时，控制所述紫外发光二极管发出紫外线照射所述水溶液。