[发明专利]一种防反向高压的高侧开关驱动电路

权利要求书

1.一种防反向高压的高侧开关驱动电路，连接于高侧驱动级，其特征在于，包括依次串接的第一高压开关管和第二高压开关管，还包括比较器电路和悬浮电源模块；

所述第一高压开关管的漏极连接至电源，用于承受反向高压，所述第二高压开关管的漏极连接至IO端口，用于正常驱动IO,所述第一高压开关管的源极与所述第二高压开关管的源极连接；

所述第一高压开关管的栅极连接所述比较器电路，所述比较器电路用于比较电源电压和输入电压，当有反向高压时候，将所述第一高压开关管的栅极连接到反向高压，使所述第一高压开关管截止，阻断反向高压；

所述悬浮电源模块连接所述第二高压开关管的源极和驱动级的公共地端，用于驱动所述第二高压开关管，当IO为高压时，所述悬浮电源模块将驱动级的公共地端电压拉高，保护驱动级。

2.根据权利要求1所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述悬浮电源模块包括稳压环路，所述稳压环路上接入输入电压的参考电压和公共地端电压，用于使公共地端电压跟随参考电压的变化而改变。

3.根据权利要求2所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述悬浮电源模块还包括，第一电流源、第一电阻和第一电容，所述第一电阻和所述第一电容的一端接输入电压，所述第一电阻和所述第一电容的另一端接所述第一电流源，用于形成所述参考电压。

4.根据权利要求2或3所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述稳压环路包括运算放大器、第二电流源和第一NMOS管，所述运算放大器的一侧输入端接所述参考电压，另一侧输入端接公共地端，所述第二电流源的一端接输入电压，另一端接公共地端和所述第一NMOS管的漏极，所述运算放大器的输出端接所述第一NMOS管的栅极。

5.根据权利要求4所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述悬浮电源模块还包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，源极连接公共地端，栅极接所述运算放大器的输入端。

6.根据权利要求5所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述比较器电路包括比较器，所述比较器的输入端包括第二电阻、第一PMOS管、第三电阻、第二PMOS管、第三电流源和第四电流源，所述第二电阻的第一端接至电源，第二端接所述第一PMOS管的源极，所述第三电阻的第一端接输入电压，第二端接所述第二PMOS管的源极，所述第三电流源和第四电流源分别连接所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极，用以提供偏置电流；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极和漏极。

7.根据权利要求6所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述比较器的输入端还包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二电阻的第二端，源极连接所述第三电阻的第二端，用于将所述第二PMOS管的源极电压进行钳位。

8.根据权利要求7所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述比较器的输出端包括第四电阻、第五电阻、第四PMOS管、第五电流源、第六电流源、第一开关和第二开关，所述第四电阻的第一端接所述第一高压开关管的源极，第二端接所述第一高压开关管的栅极，所述第四PMOS管的源极接所述第一高压开关管的源极，所述第四PMOS管的漏极接所述第一高压开关管的栅极，所述第五电阻的第一端接所述第四PMOS管的源极，第二端接所述第四PMOS管的栅极；所述第五电阻的第二端通过所述第一开关连接所述第五电流源，所述第四电阻的第二端通过所述第二开关连接所述第六电流源。

9.根据权利要求8所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述第三电流源、第四电流源、第五电流源和第六电流源的公共端接地。

10.根据权利要求1所述的防反向高压的高侧开关驱动电路，其特征在于，所述第一高压开关管和所述第二高压开关管均为PMOS晶体管。