[发明专利]磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种磁体，其为以R₂Fe₁₄B型化合物为主相的稀土类烧结永磁体，其特征在于，

R选自轻稀土元素中的至少一种元素，且必须含有Nd；

B为硼；

所述磁体含有Al，且磁体晶粒中心Al浓度小于0.5at％；磁体晶界相Al浓度为0.2～15at％；Al浓度至少从磁体一个表面到磁体内部逐渐降低；从该表面到磁体内部的同一深度内，晶粒边缘Al浓度大于晶粒中心Al浓度；

所述磁体至少有一个方向尺寸小于10mm。

2.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于，所述磁体至少有一个方向尺寸小于8mm。

3.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于，磁体晶粒中心Al浓度小于0.3at％；磁体晶界相Al浓度为0.2～10at％。

4.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于，所述磁体进一步含有Co，部分Fe被Co替代。

5.如权利要求1～4任一项所述的磁体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备磁体母材，磁体母材中Al浓度小于0.5at％，磁体母材的至少一个方向尺寸小于10mm；

2)准备用作扩散源的R’-T-Al合金，其中，

R’含量为20～50at％，T含量为40～70at％，Al含量为2～20at％；R’选自轻稀土元素中的一种或多种，且至少包含50at％以上的Pr或Nd；T选自Fe、Co和Ni中的至少一种，且至少包含50at％以上的Fe；

3)将用作扩散源的R’-T-Al合金附着于磁体母材的尺寸小于10mm的表面；

4)将附着R’-T-Al合金的磁体母材在真空或惰性气体保护的状态下，500～1000℃扩散处理0.5～20h，然后在400～700℃时效处理0.5～10h，得到磁体。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤3)中，将用作扩散源的R’-T-Al合金作为靶材，以磁控溅射的方式镀膜至磁体母材的尺寸小于10mm的表面。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，以磁控溅射的方式镀膜的膜重量为磁体母材重量的0.6～3wt％。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，步骤4)中，真空度小于1.0×10^-2状态下，600～900℃扩散处理2～12h；然后在450～650℃时效处理2～6h。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述磁体母材由包括以下的步骤制备而得：

(a)将磁体母材的包含R、Fe、B的原料熔炼以获得合金片；

(b)将合金片破碎为粗磁粉；将粗磁粉破碎，得到细磁粉；

(c)将细磁粉置于磁场中压制，然后经过等静压处理，得到坯体；

(d)将坯体经过烧结，得到烧结磁体；

(e)将烧结磁体进行切割，得到磁体母材。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：

步骤(a)中，合金片的厚度为0.01～2mm；

步骤(b)中，粗磁粉的平均粒度D50为100～400μm；细磁粉的平均粒度D50为2～20μm；

步骤(c)中，磁场的强度大于等于1.5T，坯体密度为3.5～8g/cm³；

步骤(d)中，烧结时的真空度小于等于1.0×10^-1Pa；烧结温度为900～1100℃下，烧结时间为1～15h；所得烧结磁体的含氧量低于3000ppm。