[发明专利]一种石墨烯靶材的制备及其在磁控溅射沉积低摩擦碳薄膜中的应用有效
| 申请号： | 202110844040.4 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113564525B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张斌;贾倩;张俊彦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 烯靶材 制备 及其 磁控溅射 沉积 摩擦 薄膜 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于磁控溅射沉积低摩擦碳薄膜石墨烯靶材的制备方法，是将石墨烯和乙二醇按4:1~6:1的质量比搅拌混合均匀，干燥至手捏可以成型的至半干状态，然后置于铣好的铜制靶座模具中，加载压力100~110 MPa，保压1~1.5小时，然后在真空中环境中干燥，即得石墨烯靶材。
2.如权利要求1所述方法制备的石墨烯靶材在溅射沉积碳薄膜中的应用，其特征在于：采用磁控溅射技术，先在清洗后的基底表面溅射沉积Ti过渡层，然后溅射沉积碳薄膜；其具体沉积工艺：以Ti靶为靶材，使用氩气作为稀释气体，调节高功率脉冲溅射电压600~800 V，脉宽1500 ms，占空比45%，溅射沉积Ti过渡层，时间20 min；然后以石墨烯靶材为碳靶，调节气压为1.0 ~ 1.2 Pa，溅射电流为0.5~1.0 A，占空比为0.6，频率为50 kHz，偏压为-50 V，沉积谈薄膜，沉积时间为400~480 min。
3.如权利要求2所述石墨烯靶材在溅射沉积碳薄膜中的应用，其特征在于：碳薄膜的沉积中，电流可以是中频电流或高功率脉冲电流。
4.如权利要求2所述石墨烯靶材在溅射沉积碳薄膜中的应用，其特征在于：所述基底为单晶硅、不锈钢、轴承钢中的一种。
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