[发明专利]感光模组及其制备方法、指纹识别模块和X射线探测器在审
申请号: | 202110875996.0 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN113611719A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 任庆荣;邢汝博;李俊峰;王刚;崔霜;张豪峰;郭瑞;胡世文 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/105;G06K9/00;G01N23/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘丹;黄健 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 模组 及其 制备 方法 指纹识别 模块 射线 探测器 | ||
1.一种感光模组,其特征在于,包括:
衬底;
器件层,设置于所述衬底上,所述器件层包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源极和漏极;
光电二极管,位于所述器件层背离所述衬底的一侧,所述光电二极管包括沿远离所述衬底的方向依次设置的导电层、P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层;
电极层,位于所述光电二极管背离所述衬底的一侧,所述电极层包括间隔分布的正电极和负电极;
其中,所述N型半导体层为透明层,所述N型半导体层通过所述正电极与所述漏极或者所述源极电连接,所述P型半导体层通过所述导电层与所述负电极电连接。
2.根据权利要求1所述的感光模组,其特征在于,还包括位于所述器件层与所述电极层之间的平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源极、漏极和所述光电二极管,所述N型半导体层暴露在所述平坦化层外,并与所述正电极电连接;
所述平坦化层设置有间隔分布的第一过孔和第二过孔,所述正电极通过所述第一过孔与所述漏极或者所述源极电连接,所述导电层通过所述第二过孔与所述负电极电连接。
3.根据权利要求1所述的感光模组,其特征在于,所述源极或者所述漏极与所述导电层同层设置。
4.根据权利要求1所述的感光模组,其特征在于,所述N型半导体层的材质包括IGZO或者ITZO。
5.根据权利要求1所述的感光模组,其特征在于,所述平坦化层和/或所述电极层的所述负电极为透明层。
6.一种感光模组的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成器件层,所述器件层包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源极和漏极;
在所述器件层背离所述衬底的一侧形成光电二极管,所述光电二极管包括沿远离所述衬底的方向依次设置的导电层、P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层,其中所述N型半导体层为透明层;
在所述器件层背离所述衬底的一侧形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源极、所述漏极和所述光电二极管,所述N型半导体层暴露在所述平坦化层外,所述平坦化层设置有间隔分布的第一过孔和第二过孔;
在所述平坦化层上形成电极层,所述电极层包括间隔分布的正电极和负电极,所述正电极与所述N型半导体层接触,且所述正电极通过所述第一过孔与所述漏极或者所述源极电连接,所述负电极通过所述第二过孔与所述导电层电连接。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述器件层背离所述衬底的一侧形成光电二极管的步骤包括:
在所述器件层背离所述衬底的一侧形成导电层;
在所述导电层上沉积形成P型半导体层;
在所述P型半导体层上沉积形成本征半导体层;
在所述本征半导体层上溅射IGZO或者ITZO,以形成N型半导体层;
图案化所述N型半导体层、所述本征半导体层、所述P型半导体层和导电层,形成所述光电二极管。
8.一种指纹识别模块,其特征在于,包括如权利要求1至5任一项所述的感光模组。
9.一种X射线探测器,其特征在于,包括:
如权利要求1至5任一项所述的感光模组;
绝缘层,位于所述感光模组的电极层背离衬底的一侧;
转换层,位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧,用于将入射的X射线转换为可见光。
10.根据权利要求9所述的X射线探测器,其特征在于,所述转换层包括闪烁体或者荧光体。
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