[发明专利]感光模组及其制备方法、指纹识别模块和X射线探测器

说明书

本申请提供一种感光模组及其制备方法、指纹识别模块和X射线探测器，该感光模组包括：衬底；器件层，设置于衬底上，器件层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极；光电二极管，位于器件层背离衬底的一侧，光电二极管包括沿远离衬底的方向依次设置的导电层、P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；电极层，位于光电二极管背离衬底的一侧，电极层包括间隔分布的正电极和负电极；其中，N型半导体层为透明层，N型半导体层通过正电极与漏极或者源极电连接，P型半导体层通过导电层与负电极电连接。该感光模组可以提高光电二极管的光电转换效率，提高产品的信噪比。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种感光模组及其制备方法、指纹识别模块和X射线探测器。

背景技术

光电二极管是是指纹识别模块或者X射线探测器中较为关键的器件之一，增加该光电二极管的光电转换效率能够有效提高产品的外量子效率(External QuantumEfficiency，简称EQE)，提升产品的信噪比。然而相关技术中光电二极管吸收的可见光损耗较大，减少了光致电子空穴对的数量，影响光电二极管的光电转换效率，导致指纹识别的准确率较低或者X射线图像的成像效果较差。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种感光模组及其制备方法、指纹识别模块和X射线探测器，该感光模组可以提高光电二极管的光电转换效率，提升信噪比。

为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

本申请实施例的第一方面提供一种感光模组，包括：衬底；器件层，设置于衬底上，器件层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极；光电二极管，位于器件层背离衬底的一侧，光电二极管包括沿远离衬底的方向依次层叠设置的导电层、P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；电极层，位于光电二极管背离衬底的一侧，电极层包括间隔分布的正电极和负电极；其中，N型半导体层为透明层，N型半导体层通过正电极与漏极或者源极电连接，P型半导体层通过导电层与负电极电连接。

在一种可能的实现方式中，感光模组还包括位于器件层与电极层之间的平坦化层，平坦化层覆盖源极、漏极和光电二极管，N型半导体层暴露在平坦化层外，并与正电极电连接；平坦化层设置有间隔分布的第一过孔和第二过孔，正电极通过第一过孔与漏极或者源极电连接，导电层通过第二过孔与负电极电连接。

在一种可能的实现方式中，源极或者漏极与导电层同层设置。

在一种可能的实现方式中，N型半导体层的材质包括IGZO或者ITZO。

在一种可能的实现方式中，平坦化层和/或电极层的负电极为透明层。

本申请实施例的第二方面提供一种感光模组的制备方法，包括：在衬底上形成器件层，器件层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极；在器件层背离衬底的一侧形成光电二极管，光电二极管包括沿远离衬底的方向依次设置的导电层、P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层，其中，N型半导体层为透明层；在器件层背离衬底的一侧形成平坦化层，平坦化层覆盖源极、漏极和光电二极管，N型半导体层暴露在平坦化层外，平坦化层设置有间隔分布的第一过孔和第二过孔；在平坦化层上形成电极层，电极层包括间隔分布的正电极和负电极，正电极与N型半导体层接触，且正电极通过第一过孔与漏极或者源极电连接，负电极通过第二过孔与导电层电连接。

在一种可能的实现方式中，在器件层背离衬底的一侧形成光电二极管的步骤包括：在器件层背离衬底的一侧形成导电层；在导电层上沉积形成P型半导体层；在P型半导体层上沉积形成本征半导体层；在本征半导体层上溅射IGZO或者ITZO，以形成N型半导体层；图案化N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层和导电层，形成光电二极管。

本申请实施例的第三方面提供一种指纹识别模块，包括如前所述的感光模组。