[发明专利]聚酰亚胺复合物薄膜及其制备方法、电子设备在审
申请号: | 202110879290.1 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN115701440A | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 郭璇 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08L79/04;C08G73/10;C08G73/06;H05K1/03 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 钱娴静 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 复合物 薄膜 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种聚酰亚胺复合物薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
在搅拌状态下,将羟基吲哚单体、二胺单体与四羧酸二酐单体分别加入多巴胺溶液中进行缩聚反应,得到含聚羟基吲哚与聚酰胺酸的共混溶液;
将所述共混溶液固液分离得到的混合物涂布于基材上,干燥、剥离处理,形成胶膜;
将所述胶膜进行亚胺化处理,使其交联固化,得到聚酰亚胺复合物薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二胺单体、所述四羧酸二酐单体与所述羟基吲哚单体的摩尔比为1:(0.95~1.05):(0.5~2)。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二胺单体、所述四羧酸二酐单体与所述羟基吲哚单体的总质量在所述多巴胺溶液中的质量占比为0.1%~20%。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述羟基吲哚单体选自羟基吲哚、1,2-二羟基吲哚、5,6-二羟基吲哚、5-羟基吲哚、6-羟基吲哚、7-羟基吲哚、5-羟基吲哚-3-乙酸、4-羟基吲哚、3-甲基羟基吲哚、7-羟基吲哚-2-甲酸、5-羟基吲哚-2-甲酸乙酯、5-羟基吲哚-3-乙醇、4-氟-5-羟基吲哚中的至少一种。
5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述二胺单体选自对苯二胺、萘二胺、间苯二胺、4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、2,5-二氨基甲苯、2,6-二氨基甲苯、4,4'-二氨基联苯、4,4'-二氨基二苯醚、1,3-二(4'-氨基苯氧基)苯、3,3'-二甲基-4,4'-联苯胺、3,3'-二甲氧基-4,4'-联苯胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、二氨基二苯砜、二氨基二苯甲酮、4,4'-双(4-氨基苯氧基)二苯砜或2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯、9,9'-双(4-氨基苯基)芴。
6.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述四羧酸二酐单体选自苯四甲酸二酐、二苯醚四酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、二苯基砜四羧酸二酐、萘基四酸二酐、萘四羧酸二酐、双-(3,4-苯二甲酸酐)二甲基硅烷、1,3-双(3,4-二二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'-氧二磷苯二酸二酐、4,4'-联苯四羧酸二酐、3,4'-联苯四羧酸二酐、3,3′-联苯四羧酸二酐、4,4'-氧双邻苯二甲酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-环戊烷四羧酸二酐、乙二醇-双偏苯三酸酐或双酚A型二醚二酐中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,其满足以下特征(1)至(5)中的至少一种:
(1)所述缩聚反应的时间为14h至18h;
(2)所述干燥的温度为120℃至200℃;
(3)所述干燥的时间为10s至300s;
(4)所述亚胺化处理的温度为200℃至600℃;
(5)所述亚胺化处理的时间为10s至1200s。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述多巴胺溶液包括多巴胺盐酸盐与溶剂,所述溶剂选自水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述多巴胺盐酸盐在所述多巴胺溶液中的浓度为1mmol/L至5mmol/L之间。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述将羟基吲哚单体、二胺单体与四羧酸二酐单体分别加入多巴胺溶液中之前,所述方法还包括:
往所述多巴胺溶液中加入碱溶液,使得多巴胺溶液的PH≥10;其中,所述碱溶液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氢氧化锂溶液、氨水中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110879290.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:突变波形生成控制系统
- 下一篇:充电设备、受电设备、充电系统及充电控制方法