[发明专利]一种在线检测硅槽刻蚀深度的方法

权利要求书

1.一种在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其中通过样品晶圆和待测晶圆进行检测，所述样品晶圆和待测晶圆具有多颗芯片，所述多颗芯片上具有掺杂区域，其特征在于，该方法包括下列步骤：

在所述样品晶圆和待测晶圆的掺杂区域上构造监控结构，其中所述监控结构具有参考结构和多个对照结构，所述参考结构上不具有硅槽，所述多个对照结构上分别具有多个大小一致但数量不等的硅槽；

利用所述样品晶圆上的监控结构确定硅槽刻蚀深度与硅槽电阻之间的相关关系；

通过在线测试利用所述待测晶圆上的监控结构测量所述待测晶圆上的硅槽电阻；以及

根据所述待测晶圆上的硅槽电阻以及所述相关关系确定所述待测晶圆上的硅槽刻蚀深度。

2.根据权利要求1所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，利用所述样品晶圆上的监控结构确定硅槽刻蚀深度与硅槽电阻之间的相关关系包括下列步骤：

测量所述样品晶圆上的监控结构的电阻值并且通过线性拟合确定所述样品晶圆上的硅槽电阻；

通过对所述样品晶圆切片以测量所述样品晶圆上的硅槽刻蚀深度；以及

根据所述样品晶圆上的硅槽电阻以及所述样品晶圆上的硅槽刻蚀深度确定硅槽刻蚀深度与硅槽电阻之间的相关关系。

3.根据权利要求2所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，测量所述样品晶圆上的监控结构的电阻值并且通过线性拟合确定所述样品晶圆上的硅槽电阻包括下列步骤：

测量所述样品晶圆上的第一监控结构的第一参考结构的电阻值；

测量所述第一监控结构的多个第一对照结构的电阻值；

确定第一线性拟合参数，所述第一线性拟合参数包括：

所述第一参考结构的电阻值以及所述第一参考结构上的硅槽数量；以及

所述多个第一对照结构的电阻值以及多个第一对照结构上的硅槽数量；以及

根据所述第一线性拟合参数进行线性拟合以确定所述样品晶圆上的硅槽电阻。

4.根据权利要求2所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于：将所述样品晶圆切片，并且通过扫描电子显微镜采集数据测量所述样品晶圆上的硅槽刻蚀深度。

5.根据权利要求1-4之一所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，所述硅槽刻蚀深度与硅槽电阻之间的相关关系包括正比关系。

6.根据权利要求1所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于：通过在线测试测量所述待测晶圆上的监控结构的电阻值并且通过线性拟合确定所述待测晶圆上的硅槽电阻，其中包括下列步骤：

通过在线测试测量所述待测晶圆上的第二监控结构的第二参考结构的电阻值；

测量所述第二监控结构的多个第二对照结构的电阻值；

确定第二线性拟合参数，所述第二线性拟合参数包括：

所述第二参考结构的电阻值以及所述第二参考结构上的硅槽数量；以及

所述多个第二对照结构的电阻值以及多个第二对照结构上的硅槽数量；以及

根据所述第二线性拟合参数进行线性拟合以确定所述待测晶圆上的硅槽电阻。

7.根据权利要求6所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，所述在线测试包括在线晶圆验收测试。

8.根据权利要求6所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，所述在线测试包括在线芯片探测测试。

9.根据权利要求6-8之一所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于，通过在线测试测量所述待测晶圆上多个监控结构的电阻，以计算整张所述待测晶圆上不同位置的硅槽电阻。

10.根据权利要求9所述的在线检测硅槽刻蚀深度的方法，其特征在于：将整张所述待测晶圆上不同位置的硅槽电阻代入所述相关关系中以确定整张所述待测晶圆不同位置的硅槽刻蚀深度，并且生成所述待测晶圆的硅槽刻蚀深度分布图。