[发明专利]封装模具及其制备方法

权利要求书

1.一种封装模具，其包括：

封装膜具基体；以及

涂层，所述涂层设置于所述封装膜具基体的部分表面上，其中所述涂层包含具有柱状晶结构的金属层，且所述金属层包含铜或铬中的一者。

2.根据权利要求1所述的封装模具，其中所述涂层进一步包含设置于所述金属层的表面上的氧化层，所述氧化层为氧化铜或氧化铬中的一者。

3.根据权利要求2所述的封装模具，其中所述氧化层的厚度为100nm至1μm。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的封装模具，其中所述涂层厚度为2μm至10μm。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的封装模具，其中所述金属层的所述柱状晶结构的晶体结构为立方晶系，所述晶体结构属于体心立方结构。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的封装模具，其中所述金属层的所述柱状晶结构的晶粒尺寸为30nm至100nm。

7.一种封装模具的制备方法，其包括如下步骤：

提供封装膜具基体；及

采用磁控溅射工艺于所述封装膜具基体的表面上形成具有柱状晶结构的金属层，且所述金属层包含铜或铬中的一者。

8.根据权利要求7所述的封装模具的制备方法，其中所述磁控溅射工艺所采用的偏压为30V至100V，且靶材功率为5Kw至15Kw。

9.根据权利要求7所述的封装模具的制备方法，其中所述磁控溅射工艺中的封闭腔炉的气压为0.1Pa至1Pa，其溅射沉积时间为40分钟至120分钟。

10.根据权利要求7所述的封装模具的制备方法，其中在形成所述金属层后，进一步包为含以下步骤：将所述封装模具放置于含氧的环境中，使所述金属层的表面上形成氧化层，所述氧化层为氧化铜或氧化铬中的一者。

11.根据权利要求10所述的封装模具的制备方法，其中所述含氧的环境中的温度为75℃至90℃。

12.根据权利要求7至11中任一权利要求所述的封装模具的制备方法，其中在提供所述封装膜具基体的步骤之后及形成所述金属层的步骤之前，进一步包含对所述封装膜具基体的表面采用氩离子清洗，所述氩离子清洗的步骤包括以下步骤：

在封闭腔炉中通入氩气，施加偏压100V至800V，对所述封装膜具基体的表面清洗。