[发明专利]掩膜结构及其制备方法及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种掩膜结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成由下至上依次叠置的图形转移层、刻蚀停止层及图形化材料层；

刻蚀所述图形化材料层，以得到第一掩膜图形，所述第一掩膜图形暴露出所述刻蚀停止层，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸；

于所述第一掩膜图形的侧壁、所述第一掩膜图形的顶部及暴露的所述刻蚀停止层的表面形成第一侧墙材料层；

形成第一填充层，所述第一填充层填满相邻所述第一掩膜图形之间的间隙；

刻蚀所述第一填充层，以得到第二掩膜图形，所述第二掩膜图形暴露出所述刻蚀停止层，所述第二掩膜图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向斜交；

于所述第二掩膜图形的侧壁、所述第二掩膜图形的顶部及暴露的所述刻蚀停止层的表面形成第二侧墙材料层；

形成第二填充层，所述第二填充层填满相邻所述第二掩膜图形之间的间隙；

去除位于所述第一掩膜图形顶部及所述第一掩膜图形侧壁的所述第一侧墙材料层，并去除位于所述第二掩膜图形顶部及所述第二掩膜图形侧壁的所述第二侧墙材料层，以得到初始掩膜图形。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述图形化材料层，以得到第一掩膜图形，包括如下步骤：

于所述图形化材料层的上表面形成第一掩膜层；

图形化所述第一掩膜层；

基于图形化后的所述第一掩膜层刻蚀所述图形化材料层，以得到所述第一掩膜图形；

去除图形化后的所述第一掩膜层。

3.根据权利要求2所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述图形化材料层的上表面形成第一掩膜层，包括如下步骤：

于所述图形化材料层的上表面形成第一牺牲层；

于所述第一牺牲层的上表面形成第一硬掩膜层。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一填充层的上表面与于所述第一掩膜图形顶部的所述第一侧墙材料层的上表面相平齐；

所述形成第一填充层，包括如下步骤：

形成第一填充材料层，所述第一填充材料层填满相邻所述第一掩膜图形之间的间隙，且所述第一填充材料层的上表面高于位于所述第一掩膜图形顶部的所述第一侧墙材料层的上表面；

去除位于所述第一掩膜图形顶部的所述第一侧墙材料层上方的所述第一填充材料层，以得到所述第一填充层。

5.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一填充层，以得到第二掩膜图形，包括如下步骤：

于所述第一填充层上形成第二掩膜层；

图形化所述第二掩膜层；

基于图形化后的所述第二掩膜层刻蚀所述第一填充层，以得到所述第二掩膜图形；

去除图形化后的所述第二掩膜层。

6.根据权利要求5所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一填充层上形成第二掩膜层，包括如下步骤：

于所述第一填充层的上表面形成第二牺牲层；

于所述第二牺牲层的上表面形成第二硬掩膜层。

7.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第二填充层的上表面与于所述第二掩膜图形顶部的所述第二侧墙材料层的上表面相平齐；

所述形成第二填充层，包括如下步骤：

形成第二填充材料层，所述第二填充材料层填满相邻所述第二掩膜图形之间的间隙，且所述第二填充材料层的上表面高于位于所述第二掩膜图形顶部的所述第二侧墙材料层的上表面；

去除位于所述第二掩膜图形顶部的所述第二侧墙材料层上方的所述第二填充材料层，以得到所述第二填充层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，得到所述初始掩膜图形之后包括如下步骤：

基于所述初始掩膜图形依次刻蚀所述刻蚀停止层及所述图形转移层，以将所述初始掩膜图形转移至所述图形转移层内；

去除所述初始掩膜图形及残留的所述刻蚀停止层，即得到所述掩膜结构。