[发明专利]一种碳化硅半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202110908129.2 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113643970A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 何志;郑柳 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/337;H01L21/329;H01L21/04 |
| 代理公司： | 重庆西南华渝专利代理有限公司 50270 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在碳化硅衬底（1）表面采用外延工艺进行外延，先后得到缓冲层（2）和外延层（3）；
S2，在外延层（3）上先后进行介质薄膜沉积和光刻形成图形化第一掩膜层，再通过刻蚀形成栅极沟槽（4）；
S3，在步骤S2得到的样品外延层（3）表面再次进行外延生长形成栅极掺杂区（5）；
S4，采用化学机械抛光，去除外延层（3）表面多余的外延薄膜，对样品表面进行平坦化处理。
2.根据权利要求1所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底（1）、缓冲层（2）和外延层（3）均为第一导电类型；所述栅极掺杂区（5）为第二导电类型，且第一导电类型和第二导电类型的掺杂类型相反。
3.根据权利要求1或2所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，所述外延工艺采用化学气相沉积法，且反应温度为900～2000℃。
4.根据权利要求1或2所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，介质薄膜的材料为光刻胶，且光刻胶沉积过程中的温度为20～30℃；光刻采用湿法去胶和/或干法等去胶；刻蚀所采用的方式是反应离子刻蚀技术和/或感应耦合离子体刻蚀技术；刻蚀气体为SF6、CF4、O2和HBr的一种以上的气氛。
5.根据权利要求3所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，
在步骤S2中，介质薄膜的材料为光刻胶，且光刻胶沉积过程中的温度为20～30℃；光刻采用湿法去胶和/或干法等去胶；刻蚀所采用的方式是反应离子刻蚀技术和/或感应耦合离子体刻蚀技术；刻蚀气体为SF6、CF4、O2和HBr的一种以上的气氛。
6.根据权利要求1、2或5所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，栅极掺杂区（5）所采用的材料与衬底（1）材料相同，均为碳化硅材料，且外延工艺采用化学气相沉积法。
7.根据权利要求3所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，栅极掺杂区（5）所采用的材料与衬底（1）材料相同，均为碳化硅材料，且外延工艺采用化学气相沉积法。
8.根据权利要求4所述的种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，栅极掺杂区（5）所采用的材料与衬底（1）材料相同，均为碳化硅材料，且外延工艺采用化学气相沉积法。
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