[发明专利]防止ESD破坏TFT的方法、TFT的制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种防止ESD破坏TFT的方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取多个TFT的至少一膜层的测试数据，所述测试数据包括每一膜层的制备参数以及每一膜层所能承受的静电释放电压；

将所述测试数据进行数据拟合，得到至少一拟合曲线；以及

从所述拟合曲线中获取所述TFT的抗ESD能力与每一膜层的制备参数之间的关系。

2.如权利要求1所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述制备参数包括所述TFT的栅极层的爬坡角，所述栅极层的爬坡角的角度范围为0°-40°。

3.如权利要求2所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述栅极层的爬坡角的角度越小，所述TFT的抗ESD能力越强。

4.如权利要求1所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述制备参数包括所述TFT的栅极绝缘层的厚度，所述栅极绝缘层的厚度越大，所述TFT的抗ESD能力越强。

5.如权利要求4所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材质为无机材料。

6.如权利要求1所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述TFT包括：栅极层、栅极绝缘层以及有源层；所述第一金属层的厚度为d0、所述栅极层的爬坡角的角度为A，所述栅极层的坡顶处的所述栅极绝缘层与所述有源层的厚度之和为d1，所述栅极层的爬坡处的所述栅极绝缘层与所述有源层的厚度之和为d2，所述栅极层的坡底处的所述栅极绝缘层与所述有源层的厚度之和为d3，其中，d2＝0.773*d3+0.156*d3*cosA-0.061*d0。

7.如权利要求1所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述静电释放电压为多个TFT的同一膜层的所能承受的实际静电释放电压的平均值。

8.如权利要求1所述的防止ESD破坏元件的方法，其特征在于，所述测试数据还包括所述TFT的击伤比或良好比；

所述击伤比为多个TFT中被静电释放电压击伤的TFT的数量相对于TFT总数的比值；

所述良好比为多个TFT中未被静电释放电压击伤的TFT数量相对于TFT总数的比值。

9.一种TFT的制备方法，其特征在于，包括：依据权利要求1-8中任一项所述的防止ESD破坏元件的方法中得出的所述TFT的抗ESD能力与每一膜层的制备参数之间的关系设置所述TFT的膜层的制备参数。

10.一种显示面板，其特征在于，包括TFT，所述TFT采用权利要求9所述的TFT的制备方法制备形成。