[发明专利]一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种PERC晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

S1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；

S2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成SiC：H膜层；

其中，形成SiC：H膜层为通入反应气体SiH4、CH4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4和CH4的通入流量比为1：(2～10)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2为，通入反应气体SiH4、CH4、PH3以沉积掺磷SiC：H膜层，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4、CH4、PH3的通入流量比为1：(2～10)：(0.5～3)。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积SiC：H膜层的反应温度为350℃—500℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括：

在掺磷SiC：H膜层表面沉积形成第一介电保护层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当所述第一介电保护层为氮化硅膜层时，通入反应气体SiH4和NH3进行沉积，反应气体SiH4和NH3流量比为1：(6～12)。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当所述第一介电保护层为氮氧化硅膜层时，通入反应气体SiH4、NH3和N2O进行沉积。

7.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括：在硅基体背面形成第二介电保护层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括，S3：在硅基体背面第二介电保护层表面形成SiC：H膜层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：在硅基体背面第二氧化硅膜层表面沉积形成SiC：H膜层，沉积形成SiC：H膜层为通入反应气体SiH4和CH4，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4、CH4的流量比为1：(3～12)。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为通入反应气体SiH4、CH4、BH3，通入10～30秒后，沉积掺硼SiC：H膜层，反应气体SiH4、CH4、BH3流量比为1：(3～12)：(1～4)。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括在掺硼SiC：H膜层表面沉积形成第一介电保护层。

12.一种PERC晶硅太阳能电池，其特征在于，其由权利要求1-11任一项所述的步骤制成，所述晶硅太阳能电池包括硅基体(1)；

所述硅基体(1)正面设置有第一氧化硅膜层(2)，所述第一氧化硅膜层(2)表面沉积有掺磷SiC：H膜层(4)。

13.根据权利要求12所述的一种PERC晶硅太阳能电池，其特征在于，所述硅基体(1)背面设置有第二氧化硅膜层(6)，所述第二氧化硅膜层(6)表面沉积有掺硼SiC：H膜层(3)。

14.根据权利要求13所述的一种PERC晶硅太阳能电池，其特征在于，所述掺硼SiC：H膜层(3)以及掺磷SiC：H膜层(4)的表面均设置有第一介电保护层(5)。

15.根据权利要求12所述的一种PERC晶硅太阳能电池，其特征在于，所述硅基体(1)背面设置有第二介电保护层(8)。